2024智慧树网课答案电力电子技术（湖州学院）最新完整智慧树知到满分章节测试答案

文章目录[隐藏]

第一章单元测试

1、问题:交流电直接变换为直流电的电力变换称为（）。
选项：
A:整流
B:逆变
C:斩波
D:变频
答案: 【
整流
】

2、问题:进入21世纪后，基于（）等新型半导体材料的电力电子器件逐渐开始应用。
选项：
A:碳化硅
B:晶体管
C:晶闸管
D:氮化镓
答案: 【
碳化硅
氮化镓
】

3、问题:电力电子技术是对电能进行（）的技术
选项：
A:放大
B:变换
C:控制
D:变频
答案: 【
变换
控制
】

4、问题:电力电子技术可应用于航空航天和交通运输领域。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

1、问题:在电力电子电路中，直接承担电能的变换和控制任务的电路模块为（）。
选项：
A:检测电路
B:控制电路
C:主电路
D:保护电路
答案: 【
主电路
】

2、问题:IGBT器件为（）电力电子器件。
选项：
A:全控型
B:半控型
C:不可控型
D:电流控型
答案: 【
全控型
】

3、问题:电力电子器件一般工作于（）两个状态。
选项：
A:通态
B:断态
C:高阻态
D:超导态
答案: 【
通态
断态
】

4、问题:电力电子器件损耗通常有（）损耗。
选项：
A:通态
B:断态
C:开关
D:高阻
答案: 【
通态
断态
开关
】

5、问题:电力电子器件只能用于处理高功率信号。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

6、问题:当电力二极管承受的反向电压过大时，二极管会被（）。
选项：
A:截止
B:反向击穿
C:正向击穿
D:正向导通
答案: 【
反向击穿
】

7、问题:维持晶闸管导通的最小电流称为（）。
选项：
A:维持电流
B:擎住电流
C:导通电流
D:保持电流
答案: 【
维持电流
】

8、问题:电力二极管的基本特性分为（）。
选项：
A:静态特性
B:机械特性
C:功率特性
D:动态特性
答案: 【
静态特性
动态特性
】

9、问题:晶闸管由断态切换到通态的条件是（）。
选项：
A:AK引脚间承受正偏电压
B:G端有控制信号
C:AK间承受反偏电压
D:GK间有正向电压
答案: 【
AK引脚间承受正偏电压
G端有控制信号
】

10、问题:晶闸管由断态切换到通态或由通态切换到断态需要一个时间过程，常用开通时间或关断时间来描述。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

11、问题:电力晶体管由通态切换到断态的条件是（）。
选项：
A:CE间施加正偏电压
B:基极B有驱动电流
C:基极B无驱动电流
D:E有驱动电流
答案: 【
基极B无驱动电流
】

12、问题:电力MOSFET是一种（）全控型器件。
选项：
A:电压驱动型
B:电流驱动型
C:功率驱动型
D:逻辑驱动型
答案: 【
电压驱动型
】

13、问题:IGBT是结合了（）的优点。
选项：
A:GTR
B:GTO
C:MOSFET
D:二极管
答案: 【
GTR
MOSFET
】

14、问题:IGBT由断态切换到通达的条件是（）
选项：
A:CE引脚间施加正偏电压
B:CE引脚间施加反偏电压
C:GE引脚间施加正偏驱动电压
D:GC引脚间施加正偏驱动电压
答案: 【
CE引脚间施加正偏电压
GE引脚间施加正偏驱动电压
】

15、问题:电力MOSFET的GS引脚间的驱动电压不宜施加太大，否则会被击穿。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

16、问题:静电感应晶闸管SITH可以看作是SIT与GTO复合而成又被称为（）。
选项：
A:场控晶闸管
B:双向晶闸管
C:光电晶闸管
D:声电晶闸管
答案: 【
光电晶闸管
】

17、问题:集成门极换流晶闸管IGCT容量与普通GTO相当，但（）比普通的GTO快10倍。
选项：
A:开关速度
B:导通电压
C:导通电流
D:导通电阻
答案: 【
开关速度
】

18、问题:宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0电子伏特左右及以上的半导体材料，典型的有（）。
选项：
A:硅
B:碳化硅（SiC）
C:氮化镓（GaN）
D:金刚石变频
答案: 【
碳化硅（SiC）
氮化镓（GaN）
金刚石变频
】

19、问题:功率集成电路的主要技术难点是高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

1、问题:单相半波可控整流电路带电阻负载，其输出电压平均值计算公式为（）。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【

】

本门课程剩余章节答案为付费内容
本文章不含期末不含主观题！！
本文章不含期末不含主观题！！
支付后可长期查看
有疑问请添加客服QQ 2356025045反馈
如遇卡顿看不了请换个浏览器即可打开
请看清楚了再购买哦，电子资源购买后不支持退款哦