2019 模拟电子技术(泉州师范学院) 最新满分章节测试答案
- 【作业】第1章 常用半导体器件 第1章 作业题
- 第1章 常用半导体器件 第1章 测验题
- 【作业】第2章 基本放大电路 第2章 作业题
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- 【作业】第3章 集成运算放大电路 第3章 作业题
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- 第4章 放大电路的频率响应 第4章 测验题
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- 第5章 放大电路中的反馈 第5章 测验题
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- 【作业】第6章 信号的运算和处理 第6章 作业题
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本课程起止时间为:2019-02-25到2019-06-21
【作业】第1章 常用半导体器件 第1章 作业题
1、 问题:稳压二极管电路计算
评分规则: 【 (1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值;
(2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么?
】
2、 问题:晶体三极管三极电流关系
评分规则: 【 完成(a)电流放大系数β=100
完成(b)电流放大系数β=50
】
3、 问题:场效应管工作状态判断
评分规则: 【
】
第1章 常用半导体器件 第1章 测验题
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1、 问题:本征半导体是原子排列( )的纯净半导体。
选项:
A:杂乱
B:整齐
C:无序
D:定向
答案: 【整齐】
2、 问题:N型半导体是在本征半导体中掺入( )。
选项:
A:四价元素
B:三价元素
C:五价元素
D:二价元素
答案: 【五价元素】
3、 问题:P型半导体是在本征半导体中掺入( )。
选项:
A:四价元素
B:三价元素
C:五价元素
D:二价元素
答案: 【三价元素】
4、 问题:PN结的单向导电性是指( )。
选项:
A:外加电压只能有一个方向
B:外加电压可以有两个方向
C:与外加电压无关
D:外加电压正偏时导通,外加电压反偏时截止
答案: 【外加电压正偏时导通,外加电压反偏时截止】
5、 问题:PN结正偏是指( )。
选项:
A:外加电场与内电场方向相反
B:外加电场与内电场方向相同
C:无外电场
D:外加电压为0
答案: 【外加电场与内电场方向相反】
6、 问题:PN结反偏是指( )。
选项:
A:外加电场与内电场方向相反
B:外加电场与内电场方向相同
C:无外电场
D:外加电压为0
答案: 【外加电场与内电场方向相同】
7、 问题:半导体器件的温度稳定性较差,主要是因为( )。
选项:
A:本征半导体中的自由电子-空穴对的数量受温度的影响
B:N型半导体的自由电子数量受温度的影响
C:P型半导体的空穴数量受温度的影响
D:PN结的尺寸受温度的影响
答案: 【本征半导体中的自由电子-空穴对的数量受温度的影响 】
8、 问题:二极管在电路分析中常用的等效模型是( )。
选项:
A:理想模型
B:恒压源模型
C:具有内阻的线性模型
D:具有内阻的非线性模型
答案: 【恒压源模型 】
9、 问题:稳压二极管的主要参数是( )。
选项:
A:只有稳定电压
B:只有稳定电流
C:稳压电压、稳定电流及额定功率三个主要参数
D:只有额定功率
答案: 【稳压电压、稳定电流及额定功率三个主要参数】
10、 问题:常用硅材料做半导体器件是因为( )。
选项:
A:硅的原子序数比锗小
B:硅的导电性能比锗好
C:硅的导电性能受温度影响比锗小
D:硅二极管的导通电压比锗大
答案: 【硅的导电性能受温度影响比锗小】
11、 问题:晶体三极管由( )PN结组成。
选项:
A:四个
B:三个
C:一个
D:二个
答案: 【二个 】
12、 问题:晶体三极管具有电流放大作用,主要是因为( )。
选项:
A:发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄
B:PN结的单向导电性
C:集结反偏
D:发射结正偏
答案: 【发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄】
13、 问题:晶体三极管工作在电流放大状态时( )
选项:
A:发射结正偏见,集电结正偏
B:发射结正偏,集电结反偏
C:发射结反偏,集结正偏
D:发射结反偏,集电结反偏
答案: 【发射结正偏,集电结反偏】
14、 问题:NPN型晶体三极管工作在放大状态时,三个电极的电位关系是( )。
选项:
A:UC<UB<UE
B:UC>UB>UE
C:UB>UC>UE
D:UE>UC>UB
答案: 【UC>UB>UE】
15、 问题:PNP型晶体三极管工作在放大状态时,三个电极的电位关系是( )。
选项:
A:UC>UB>UE
B:UC<UB<UE
C:UB>UC>UE
D:UE>UC>UB
答案: 【UC<UB<UE 】
16、 问题:温度升高时,二极管的导通电压( )。
选项:
A:增大
B:减小
C:不变
D:变化具有不确定性
答案: 【减小】
17、 问题:场效应管分为两大类( )。
选项:
A:N沟道型和P沟道型
B:NPN型和PNP型
C:绝缘栅型和结型
D:增强型和耗尽型
答案: 【绝缘栅型和结型】
18、 问题:绝缘栅型场效应管又称为MOS场效应管或简称为MOS管,由于结构上的不同又分( )。
选项:
A:N型和P型
B:NPN型和PNP型
C:增强型和耗尽型
D:绝缘栅型和结型
答案: 【增强型和耗尽型】
19、 问题:场效应管在外电场的作用下,沟道漏极端闭合时称为( )。
选项:
A:夹断
B:预夹断
C:截止
D:饱和
答案: 【预夹断 】
20、 问题:晶体三极管工作在饱和状态时( )。
选项:
A:发射结正偏见,集电结正偏
B:发射结正偏,集电结反偏
C:发射结反偏,集结正偏
D:发射结反偏,集电结反偏
答案: 【发射结正偏见,集电结正偏】
21、 问题:自由电子-空穴对在本征半导体中是成对出现的。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
22、 问题:空穴不是带电粒子。
本文章不含期末不含主观题!!
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