2021 半导体物理(大连民族大学) 最新满分章节测试答案
- 第1讲：半导体中的电子状态和能带 单元测验——第1讲
- 第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级 单元测验——第2讲
- 第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级 综合对比测试1——本征半导体（第1讲）与杂质半导体（第2讲）
- 第3讲：半导体中载流子的统计分布 单元测验——第3讲
- 第4讲：半导体的导电性 单元测验——第4讲
- 第5讲：非平衡载流子 综合对比测试3——半导体的热平衡状态（第3讲）与非平衡状态（第5讲）
- 第5讲：非平衡载流子 综合对比测试2——载流子的漂移运动（第4讲）与扩散运动（第5讲）
- 第5讲：非平衡载流子 单元测验——第5讲
- 第5讲：非平衡载流子 综合对比测试4——杂质对半导体的影响：浅能级杂质（第2讲）、散射（第4讲）、深能级杂质（第5讲）
- 第6讲：金属和半导体的接触 单元测验——第6讲
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本课程起止时间为:2021-01-19到2021-07-31
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第1讲：半导体中的电子状态和能带 单元测验——第1讲
1、 问题:一种有效而直观的测量有效质量的实验方法是？
选项：
A:回旋共振实验
B:霍尔效应实验
C:磁阻效应实验
D:热电效应实验
答案: 【回旋共振实验】
2、 问题:有效质量的意义在于？
选项：
A:概括了半导体内部势场对电子的作用。
B:概括了共价键对电子的作用。
C:概括了导带对电子的作用。
D:概括了杂质对电子的作用。
答案: 【概括了半导体内部势场对电子的作用。】
3、 问题:关于导带中的电子，以下描述正确的是？
选项：
A:准自由运动的电子。
B:受共价键束缚的电子。
C:受杂质束缚的电子。
D:受价带束缚的电子。
答案: 【准自由运动的电子。】
4、 问题:在能带底部附近，电子的有效质量为？
选项：
A:正
B:负
C: 不确定
D:可正可负。
答案: 【正】
5、 问题:Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A:[100]及其等价方向；k=0处
B: k=0处；k=0处
C:[111]及其等价方向；k=0处
D: [100]及其等价方向；[111]及其等价方向
E: [110]及其等价方向；k=0处
答案: 【[100]及其等价方向；k=0处】
6、 问题:以下材料中，属于直接禁带半导体的是？
选项：
A:GaAs
B:Si
C:Ge
D:GaP
答案: 【GaAs】
7、 问题:什么是本征半导体？
选项：
A:没有杂质，没有缺陷的半导体。
B:没有杂质的纯净半导体。
C:没有缺陷的结构完美的半导体。
D:杂质和缺陷数量很多的半导体。
答案: 【没有杂质，没有缺陷的半导体。】
8、 问题:本征半导体的特征是？
选项：
A:导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。
B:导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。
C:导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。
D:电子浓度和空穴浓度均为0。
答案: 【导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。】
9、 问题:关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是？
选项：
A:半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。
B:半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
C:半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
D:半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
答案: 【半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。】
10、 问题:本征激发指的是哪种电子跃迁？
选项：
A:价带的电子跃迁到导带。
B:导带的电子跃迁到价带。
C:施主态上的电子跃迁到导带。
D:受主态上的电子跃迁到价带。
答案: 【价带的电子跃迁到导带。】
11、 问题:本征激发的结果是？
选项：
A: 产生一组电子——空穴对。
B:仅产生一个导带的电子。
C:仅产生一个价带的空穴。
D:不产生电子和空穴。
答案: 【 产生一组电子——空穴对。】
12、 问题:关于价带中的空穴，以下描述正确的是？
选项：
A:空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。
B:空穴常出现在价带顶。
C:空穴的有效质量为正。
D: 空穴常出现在导带底部。
E: 空穴的有效质量为负。
答案: 【空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。;
空穴常出现在价带顶。;
空穴的有效质量为正。】
13、 问题:以下材料中，属于间接禁带半导体的是？
选项：
A:Si
B:Ge
C: GaAs
D:InP
答案: 【Si;
Ge】
第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级 单元测验——第2讲
1、 问题:在完全相同的条件下，以下哪种情况最容易发生？
选项：
A:浅能级杂质的电离
B:深能级杂质的电离
C:本征激发
D:本征吸收
答案: 【浅能级杂质的电离】
2、 问题:什么是本征半导体？
选项：
A:没有杂质的纯净半导体。
B:没有缺陷的结构完美的半导体。
C:没有杂质，没有缺陷的半导体。
D:施主杂质和受主杂质数量相等的半导体。
答案: 【没有杂质，没有缺陷的半导体。】
3、 问题:P型半导体的特征是？
选项：
A:导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。
B:导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。
C:导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。
D:施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度。
E:电子浓度和空穴浓度均为0。
答案: 【导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。】
4、 问题:本征激发指的是哪种电子跃迁？
选项：
A:价带的电子跃迁到导带。
B:导带的电子跃迁到价带。
C:施主态上的电子跃迁到导带。
D:受主态上的电子跃迁到价带。
答案: 【价带的电子跃迁到导带。】
5、 问题:如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等，会造成什么结果？
选项：
A:施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差。
B:施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体。
C:通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体。
D:通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体。
答案: 【施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差。】
6、 问题:对于半导体Si、Ge，常用的施主杂质有哪些？
选项：
A:P
B:As
C:Sb
D:B
E:Al
F:Ga
G:In
答案: 【P;
As;
Sb】
7、 问题:对于半导体Si、Ge，常用的受主杂质有哪些？
选项：
A:B
B:Al
C:Ga
D:In
E:P
F:As
G:Sb
答案: 【B;
Al;
Ga;
In】
8、 问题:以下情况属于杂质电离的是？
选项：
A:施主态上的电子跃迁到导带。
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