2020 半导体物理学(西安邮电大学)1450620507 最新满分章节测试答案
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第二讲 半导体中杂质和缺陷能级 第一、二讲单元测试
1、 问题:与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（ ）。
选项：
A:比半导体的大
B:比半导体的小
C:与半导体的相等
D:无法比较
答案: 【比半导体的大 】
2、 问题:半导体中，能带越窄，有效质量（ ）。
选项：
A:越大
B:不变
C:越小
D:呈指数增加
答案: 【越大】
3、 问题:波矢k描述了晶体中（ ）的量子状态。
选项：
A:能级
B:电子共有化运动
C:能带
D:能量
答案: 【电子共有化运动】
4、 问题:具有金刚石结构的半导体材料为（ ）。
选项：
A:Si
B:GaAs
C:ZnO
D:ZnS
答案: 【Si】
5、 问题:具有闪锌矿结构的半导体材料为（ ）。
选项：
A:Si
B:Ge
C:GaAs
D:CdTe
答案: 【GaAs】
6、 问题:电子在晶体中的共有化运动指的是（ ）。
选项：
A:电子在晶体中各处出现的几率相同
B:电子在晶胞中各点出现的几率相同
C:电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同
D:电子在晶体各元胞对应点有相同的相位
答案: 【电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同】
7、 问题:砷化镓的导带极值位于在布里渊区（ ）。
选项：
A:中心
B:<111>方向近边界处
C:<100>方向近边界处
D:<110>方向近边界处
答案: 【中心】
8、 问题:硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。
选项：
A:<110>
B:<100>
C:<111>
D:[110]
答案: 【<100>】
9、 问题:重空穴指的是（ ）。
选项：
A:质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B:价带顶附近曲率半径较大的等能面上的空穴
C:价带顶附近曲率半径较小的等能面上的空穴
D:自旋-轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
答案: 【价带顶附近曲率半径较大的等能面上的空穴】
10、 问题:等能面是指（ ）。
选项：
A:k空间中能量相同各点构成的曲面壁
B:k空间中一定k值处的能量面
C:k空间极值点附近k值一定的能量
D:k空间极值点处k值一定的能量
答案: 【k空间中能量相同各点构成的曲面壁】
11、 问题:空穴的正确概念是（ ）。
选项：
A:半导体中带一个正电荷，质量为正的粒子
B:半导体中晶格空位的抽象描述
C:价带中未被电子占据的空穴的等价描述
D:半导体中具有正有效质量的带电粒子
答案: 【价带中未被电子占据的空穴的等价描述】
12、 问题:半导体、金属和绝缘体的禁带宽度不同，其导电特性不一样，金属的禁带宽度（ ）半导体禁带宽度。
选项：
A:大于
B:等于
C:小于
D:没有可比性
答案: 【小于】
13、 问题:下列（ ）元素在Si中是形成施主杂质。
选项：
A:B
B:Al
C:P
D:Ge
答案: 【P】
14、 问题:（ ）的半导体是双极半导体。
选项：
A: III-V族化合物中III族和V族原子荷电状态不同
B:存在电子和空穴两个子系统
C:一种可实现n型和p型掺杂
D:能形成等电子陷阱
答案: 【一种可实现n型和p型掺杂】
15、 问题:下列半导体材料中，属于p型半导体的是（ ）。
选项：
A:硅中掺入硼
B:锗掺入磷
C:硅中掺入碳
D:锗掺入碳
答案: 【硅中掺入硼】
16、 问题:下列半导体材料中，属于n型半导体的是（ ）。
选项：
A:硅中掺入硼
B:硅中掺入碳
C:锗中掺入磷
D:锗中掺入碳
答案: 【锗中掺入磷】
17、 问题:下列半导体材料中，表现为双极性行为的是（ ）。
选项：
A:磷化镓中的锗
B:磷化镓中的硅
C:磷化镓中的锗
D:磷化铟中的硅
答案: 【磷化镓中的硅】
18、 问题: 下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（ ）。
选项：
A:硅
B:锗
C:砷化镓
D:碳
答案: 【砷化镓】
19、 问题: 本征锗中掺入III价元素杂质，为（ ）型半导体。
选项：
A:空穴
B:施主
C:电子
D:n型
答案: 【空穴】
20、 问题: 本征硅中掺入Ⅴ价元素杂质，为（ ）型半导体。
选项：
A:空穴
B:电子
C:受主
D:p型
答案: 【电子】
21、 问题: 间隙原子和空位成对出现的缺陷是（ ）。
选项：
A:肖特基缺陷
B:弗仑克耳缺陷
C:反结构缺陷
D:替位原子
答案: 【弗仑克耳缺陷】
22、 问题:本征激发后向半导体提供（ ）。
选项：
A:空穴
B:电子
C:电子和空穴
D:带电粒子
答案: 【电子和空穴】
23、 问题:只在晶体内形成空位而无间隙原子时，称为（ ）。
选项：
A:肖特基缺陷
B:弗仑克耳缺陷
C:反结构缺陷
D:空位缺陷
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