2020 半导体物理与器件(南京邮电大学)1207933205 最新满分章节测试答案

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第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 第10章单元测验

1、 问题:在MOSFET中，若衬底为p型，栅极加大的电压时，形成n型反型层；若衬底为n型，栅极加大的电压时，形成p型反型层。
选项：
A:正、正
B:正、负
C:负、正
D:负、负
答案: 【正、负】

2、 问题:在MOS器件中，不论半导体是p型还是n型，栅极加负电压时，半导体表面的能带向弯曲；栅极加正的电压时，半导体表面的能带向弯曲。
选项：
A:上、上
B:上、下
C:下、上
D:下、下
答案: 【上、下】

3、 问题:MOSFET的跨导与沟道宽度成，与沟道长度成，与氧化层厚度成___.
选项：
A:正比、正比、反比
B:反比、反比、正比
C:正比、反比、反比
D:正比、反比、正比
答案: 【正比、反比、反比】

4、 问题:MOS器件中，耗尽层的厚度随着表面势的增大而___。
选项：
A:增大
B:降低
C:不变
D:不确定
答案: 【增大】

5、 问题:当时，所加的栅电压称之为___。
选项：
A:平带电压
B:阈值电压
C:导通电压
D:反型电压
答案: 【阈值电压】

6、 问题:对于p型衬底的MOSFET，负阈值电压表明该器件为耗尽型器件。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题:对于p型衬底MOSFET的理想C-V特性而言，当C取值最小时，栅压为负。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

8、 问题:对于p型衬底MOSFET而言，当有效氧化层陷阱电荷数增大时，其C-V特性曲线往左移动。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、 问题:当栅压等于平带电压时，半导体内能带没有弯曲，净空间电荷为零，穿过氧化物的电压也为零。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

10、 问题:对于大功率MOSFET而言，栅极要远离源极，以防漏电压较大时产生击穿。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

第十一章 结型场效应晶体管 第十一章单元测验

1、 问题:与Si-MESFET相比，GaAs-MESFET的电子迁移率一般要低一些。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

2、 问题:对于MESFET而言，当栅压等于零时，沟道厚度比空间电荷区要小，那么此种类型为增强型MESFET。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

3、 问题:从降低功耗的角度出发，FET的亚阈值摆幅数值越大越好。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

4、 问题:沟道输运时间是影响JFET低频特性的主要因素之一。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

5、 问题:从晶体管的小信号模型可以看到，源极电阻的影响是降低有效跨导或晶体管增益。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

6、 问题:结型场效应晶体管中的“结”主要是指_____结和肖特基结。
答案: 【PN】

7、 问题:对于MOSFET和JFET而言，有效沟道长度的改变以及相应漏电流的变化称为____。
答案: 【沟道长度调制】

8、 问题:亚阈值电流指的是当栅极电压低于夹断电压或______时的漏电流。
答案: 【阈值电压】

9、 问题:当载流子速度饱和时，晶体管的跨导和有效增益都会______。（增大、降低）
答案: 【降低】

10、 问题:JFET有两个频率限制因子，一个是沟道输运时间，一个是__。
答案: 【电容存储时间】

第十二章 高电子迁移率晶体管 第十二章单元测验

1、 问题:HEMT的首要特性是_____。
选项：
A:电子迁移率高
B:功耗低
C:阈值电压小
D:击穿电压高
答案: 【电子迁移率高】

2、 问题:HEMT中高的电子迁移率主要来源于______。
选项：
A:低的杂质散射效应
B:高的载流子浓度
C:大的阈值电压
D:短的沟道长度
答案: 【低的杂质散射效应】

3、 问题:基于2DEG的FET晶体管一般称作为：_____
选项：
A:HEMT
B:MODFET
C:SDHT
D:TEGFET
答案: 【HEMT;
MODFET;
SDHT;
TEGFET】

4、 问题:HEMT设计目标是______。
选项：
A:运行速度高
B:能量损耗小
C:噪声低
D:阈值电压高
答案: 【运行速度高;
能量损耗小;
噪声低】

5、 问题:纤锌矿GaN中的极化效应减弱了GaN-HEMT中2DEG的浓度。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

6、 问题:在掺杂AlGaAs和未掺杂GaAs中间加入一个未掺杂的AlGaAs薄层，是为了更多的分离电子与电离了的施主杂质，从而进一步降低杂质散射效应。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

7、 问题:如图所示，左边为未掺杂GaAs，右边为掺杂AlGaAs。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

8、 问题:由于声子散射的影响，随着温度升高，HEMT器件中电子迁移率会降低。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、 问题:如图所示，图a中栅压等于0，图b中栅压______0。（填“大于”或“小于”）
答案: 【小于】