2020 半导体物理与器件原理(复旦大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-08-17到2021-01-17

W1-3半导体中杂质和缺陷能级 W1-测试

1、 问题:室温下，Si晶体中两个最近的SI原子的间距大约为（）埃。
选项：
A:1
B:2
C:3
D:4
答案: 【2】

2、 问题:室温下Ge晶体的导带底由（）个旋转椭球构成。
选项：
A:2
B:4
C:6
D:8
答案: 【4】

3、 问题:Si晶体的第一布里渊区是个（）体。
选项：
A:立方体
B:正菱形12面体
C:截角8面体
D:球体
答案: 【截角8面体】

4、 问题:费米-狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（）
选项：
A:0
B:0.5
C:1
D:无穷大
答案: 【1】

5、 问题:哪支能带的极值对应的电子有效质量最大？
选项：
A:1
B:2
C:3
D:无法判断
答案: 【3】

6、 问题:空穴是一种假设出来的粒子。其有效质量为（），电荷为（）。
选项：
A:正，负
B:正，正
C:负，正
D:负，负
答案: 【正，正】

7、 问题:Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中，其横向有效质量（）纵向有效质量。
选项：
A:=
B:>
C:<
D:无法确定大小关系
答案: 【<】

8、 问题:随温度升高，Si的禁带宽度（）
选项：
A:不变
B:增加
C:减小
D:不清楚
答案: 【减小】

9、 问题:Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。
选项：
A:施主
B:受主
C:两性杂质
D:中性杂质
答案: 【受主】

10、 问题:Si中常见点缺陷是（）缺陷。
选项：
A:弗伦克尔
B:肖特基
C:刃位错
D:螺位错
答案: 【肖特基】

11、 问题:晶体Si是直接带隙半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

W2-6非平衡载流子 W2-测试

1、 问题:能态密度的单位可以是（）
选项：
A:个
B:个/平方厘米
C:个/eV
D:个/平方厘米-eV
答案: 【个/eV】

2、 问题:Si晶体中，任一能级位置，不是被电子占据就是被空穴占据。
选项：
A:对
B:错
C:无法确定
D:都可以
答案: 【对】

3、 问题:N型Si中，导电电子主要分布在
选项：
A:导带顶部
B:导带底部
C:价带顶部
D:价带底部
答案: 【导带底部】

4、 问题:室温下，Si的本征载流子浓度约为（）cm-3.
选项：
A:1E9
B:1E10
C:1E11
D:1E12
答案: 【1E10】

5、 问题:Si芯片的最高工作温度约为（）摄氏度。
选项：
A:150
B:200
C:250
D:300
答案: 【250】

6、 问题:某N型掺杂Si材料，其费米能级随温度而发生变化。其费米能级最高的位置对应的温度区间为：
选项：
A:低温弱电离区
B:中等电离区
C:过渡区
D:本征区
答案: 【低温弱电离区】

7、 问题:以上哪个区域对应室温下的n-Si载流子随温度变化的关系？
选项：
A:1
B:2
C:3
D:4
E:5
答案: 【3】

8、 问题:迁移率的典型单位是（）
选项：
A:cm3/s
B:cm3/V×s
C:cm2/V×s
D:cm2/V
答案: 【cm2/V×s】

9、 问题:对于一般浓度的掺杂半导体，室温下其主要散射机制为：
选项：
A:电离杂质散射
B:光学声子散射
C:声学声子散射
D:中性杂质散射
答案: 【声学声子散射】

10、 问题:一般情况下，非平衡载流子中，（）重要
选项：
A:多子
B:少子
C:多子少子都重要
D:多子少子都不重要
答案: 【少子】

11、 问题:间接复合中，理想条件下，最有效的复合中心能级位置在
选项：
A:费米能级处
B:杂质能级处
C:禁带中线处
D:导带底部
答案: 【禁带中线处】

12、 问题:扩散系数的典型单位是
选项：
A:cm3/s
B:cm2/V-s
C:cm2/s
D:cm2/V
答案: 【cm2/s】