2020 2020秋微电子工艺（田丽）(哈尔滨工业大学) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-09-07到2020-12-25
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第1章 硅片的制备 第一讲 作业

1、 问题:在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?
选项：
A:（100）
B:（111）
C:（110)
D:(211)
答案: 【（111）】

2、 问题:磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
选项：
A:轴向均匀
B:轴向递减
C:轴向递増
D:径向递减
答案: 【轴向递减】

3、 问题:关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确
选项：
A:可以多次缩颈
B:为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C:为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D:为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
答案: 【可以多次缩颈;
为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸;
为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸】

4、 问题:在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【因硅熔体温度梯度带来的密度（重力）差造成的干锅内熔体强对流减弱的缘故】

5、 问题:拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的  造成。
答案: 【(以下答案任选其一都对)O;
氧】

第二讲 介绍第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容 第二讲 作业

1、 问题:VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
选项：
A:自掺杂效应
B:互扩散效应
C:衬底表面没清洗干净的缘故。
D:掺杂气体不纯
答案: 【互扩散效应】

2、 问题:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
选项：
A:MBE
B:VPE、LPE
C:UHV/CVD
D:SEG、SPE
答案: 【MBE;
UHV/CVD】

3、 问题:如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【只在一定范围成立，如SiCl4为硅源超过临界值会生成多晶、甚至腐蚀衬底。】

4、 问题:外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长      薄膜。
答案: 【(以下答案任选其一都对)晶体;
单晶】

5、 问题:VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在        完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面
答案: 【硅片表面】

第三讲，介绍第3章 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容 第三讲 作业

1、 问题:通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
选项：
A:掺氯氧化
B:干氧
C:干氧-湿氧-干氧
D:低压氧化
答案: 【干氧-湿氧-干氧】

2、 问题:关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
选项：
A:生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B:温度升高氧化速率迅速增加
C:（111）硅比（100）硅氧化得快
D:有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E:生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F:生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
答案: 【温度升高氧化速率迅速增加;
（111）硅比（100）硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律】

3、 问题:制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

4、 问题:热氧化速率快慢排序：        氧化最快、        氧化次之、        氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
答案: 【水汽、湿氧、干氧】

5、 问题:热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质        引起的。（两个字）
答案: 【分凝】

第四讲 介绍第4章 扩散，包括：扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。 第四讲 作业

1、 问题:
选项：
A:图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散
B:图（a）、（b）都是限定源扩散
C:图（a）、（b）都是恒定源扩散
D:图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散
答案: 【图（a）、（b）都是限定源扩散】

2、 问题:扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸  ，这是        效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
选项：
A:大，横向扩散
B:小，横向扩散
C:大，场助扩散
D:大，氧化增强
答案: 【大，横向扩散】

3、 问题:扩散系数在何时不可以看成是常数：
选项：
A:在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；
B:在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；
C:在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D:在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。
答案: 【在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；;
在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。】

4、 问题:一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【D1t1>>D2t2，杂质近似服从余误差分布】

5、 问题:在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩   分钟。（只保留整数）
答案: 【104】

第五讲 介绍第5章 离子注入，包括：离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等，共八节内容 第五讲 作业

1、 问题:在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是        。当偏离晶向   ψc注入时，可以避免。
选项：
A:沟道效应，<
B:沟道效应，>
C:横向效应，<
D:横向效应，>
答案: 【沟道效应，>】

2、 问题:形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？
选项：
A:不可以
B:可以，实际注硼：QB+QSb
C:可以，实际注硼：QB-QSb
D:可以，实际注硼：QB
答案: 【可以，实际注硼：QB+QSb】

3、 问题:基于LSS理论，判断对下图分析的对错：
选项：
A:该入射离子是低能注入；
B:该入射离子是高能注入；
C:入射离子在靶中由A运动到B主要受到靶原子核阻滞；
D:入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞；
E:入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞；
F:入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。
答案: 【该入射离子是高能注入；;
入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞；;
入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞；】