2020 集成电路制造工艺仿真技术(厦门理工学院) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-02-26到2020-07-31
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【作业】第一讲 介绍绪论与第1章 硅片的制备 绪论小测

1、 问题:根据所学内容总结说明：什么是微电子工艺，它有什么特点？最终的发展趋势是什么？
评分规则: 【 什么是微电子工艺，它有什么特点？最终的发展趋势是什么？
】

【作业】第一讲 介绍绪论与第1章 硅片的制备 单晶硅小测

1、 问题:单晶硅小测，见附件
评分规则: 【 作业1 50分作业2 50分
】

第1章 硅片的制备 第一讲 单元测验(1.1——1.3节)

1、 问题:在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?
选项：
A:（100）
B:（111）
C:（110)
D:(211)
答案: 【（111）】

2、 问题:磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率（）
选项：
A:轴向均匀
B:轴向递减
C:轴向递増
D:径向递减
答案: 【轴向递减】

3、 问题:下列哪种单晶硅的生长方法不需要用到坩埚？
选项：
A:CZ法
B:MCZ法
C:FZ法
D:无
答案: 【FZ法】

4、 问题:关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确
选项：
A:可以多次缩颈
B:为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C:为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D:为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
答案: 【可以多次缩颈;
为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸;
为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸】

5、 问题:晶体中掺杂的方式有（）
选项：
A:液相掺杂
B:气相掺杂
C:固相掺杂
D:中子辐照掺杂
答案: 【液相掺杂;
气相掺杂;
中子辐照掺杂】

6、 问题:在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【因硅熔体温度梯度带来的密度（重力）差造成的干锅内熔体强对流减弱的缘故】

7、 问题:拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的 造成。
答案: 【(以下答案任选其一都对)O;
氧】

8、 问题:多晶硅的制备：石英砂（二氧化硅）通过______两步工艺就制出半导体纯度的多晶硅。
答案: 【冶炼和提纯】

【作业】第1章 硅片的制备 作业1

1、 问题:直拉法单晶生长过程包括哪几个步骤，分别加以说明？
评分规则: 【 直拉法单晶生长过程包括哪几个步骤，分别加以说明？
】

2、 问题:硅晶体中缺陷有哪些，分别加以说明？
评分规则: 【 硅晶体中缺陷有哪些，分别加以说明？
】

3、 问题:籽晶和缩颈的作用分别是？
评分规则: 【 籽晶和缩颈的作用分别是？
】

4、 问题:固体状态下原子的排列方式有无规则排列的非晶态，也可以成为规则排列的晶体，它的决定因素包含哪三个方面？
评分规则: 【 固体状态下原子的排列方式有无规则排列的非晶态，也可以成为规则排列的晶体，它的决定因素包含哪三个方面？
】

【作业】第1章 硅片的制备 作业2

1、 问题:简述晶圆制备的工艺步骤？
评分规则: 【 简述晶圆制备的工艺步骤？
】

2、 问题:有哪几种拉单晶的方法？对它们简单比较？
评分规则: 【 有哪几种拉单晶的方法？对它们简单比较？
】

3、 问题:液相掺杂中的分凝系数的定义？
评分规则: 【 液相掺杂中的分凝系数的定义？
】

【作业】第二讲 介绍第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容 第二章 作业1

1、 问题:什么是外延？
评分规则: 【 什么是外延？
】

2、 问题:异质外延用_来表征衬底与外延层之间的匹配情况。它主要包含哪两种？
评分规则: 【 第一个正确10分，第二个正确10分
】

3、 问题:Si的晶格常数=5.43Å，Ge的晶格常数=5.66Å，试计算（1）硅上外延锗Ge的晶格失配？（2）Ge上外延Si的晶格失配？
评分规则: 【 （1）（2）各10分
】

4、 问题:判断：硅烷气体作为气相外延用的硅源时，也需要用氢或氮对其稀释。是否正确？
评分规则: 【 是否正确？
】

5、 问题:外延过程，造成杂质再分布的主要因素是什么？
评分规则: 【 外延过程，造成杂质再分布的主要因素是什么？
】

6、 问题:表面外延过程实质上哪几个步骤？
评分规则: 【 表面外延过程实质上哪几个步骤？
】

7、 问题:以硅烷为源进行外延，将外延过程分解为___过程来具体分析。
评分规则: 【 以硅烷为源进行外延，将外延过程分解为_____过程来具体分析。
】

【作业】第二讲 介绍第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容 第二章 作业2

1、 问题:外延用衬底硅片一般偏离准确晶向一个小角度，如（111）-Si偏离3º，这是为什么？这样导致了外延方向是横向还是纵向？
评分规则: 【 外延用衬底硅片一般偏离准确晶向一个小角度，如（111）-Si偏离3º，这是为什么？15分）。这样导致了外延方向是横向还是纵向？（5分）
】

2、 问题:判断：（1）气相外延时，能够通过使用低温硅源降低工艺温度来彻底避免自掺杂效应引起的杂质再分布。（2）掺杂剂需要用氢稀释十~五十倍，以减小掺杂气体的流量误差。
评分规则: 【 每小题5分
】