2020 电子技术基础(黑河学院) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-03-02到2020-07-29
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【作业】2.1 半导体基本知识和PN结 作业1

1、 问题:1、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （ ） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
评分规则: 【 工作原理
】

2、 问题: 在P型半导体中，多数载流子是 （ ） A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
评分规则: 【 P型半导体的内部原理
】

3、 问题:在N型半导体中，多数载流子是 （ ） A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
评分规则: 【 N型半导体和P型的区别
】

4、 问题:二极管的主要特性是 （ ） A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性
评分规则: 【 二极管的导电特性
】

2.1 半导体基本知识和PN结

1、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

2、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

3、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

4、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

5、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

【作业】3.2 放大的概念和放大电路的性能指标 作业3

1、 问题:放大电路放大的本质是什么？
评分规则: 【 能量的控制
能量的转换
】

2、 问题:放大电路中放大的目标是一个什么量？放大的能量是由谁来提供？
评分规则: 【 交流或变化的量
直流
】

2.2 半导体二极管 测试1

1、 问题:PN结加正向电压时，其内电场将（ ）。
选项：
A:A．削弱
B:B．不变
C: C．增强
D:D．不确定
答案: 【A．削弱 】

2、 问题:稳压管的稳压区是其工作在（ ）。
选项：
A:A．正向导通
B: B．反向截止
C: C．反向击穿
D:D. 反向饱和
答案: 【 C．反向击穿】

3、 问题:电路下图所示，已知 Ui=5sinwt(V)，二极管导通电压。试画Ui 与Uo 的波形图，并标出幅值。
答案: 【正弦上半周期】

3.1 双极型晶体管

1、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

2、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

3、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

4、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

5、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

【作业】3.1 双极型晶体管 作业2

1、 问题:1. 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将 （） A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
评分规则: 【 三极管的特性曲线
】

2、 问题:2.温度升高时，三极管的β值将（） A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
评分规则: 【 三极管的特性曲线
】

3、 问题:2. 温度升高时，三极管的β值将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
评分规则: 【 特性曲线
】

4、 问题:3.处于截止状态的三极管，其工作状态为（ ）。A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结正偏，集电结正偏 D.发射结反偏，集电结正偏
评分规则: 【 三极管的工作在放大下的条件
】

5、 问题:5.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE＝3V，VB＝3.7V， VC = 3.3V，则该管工作在（ ）。 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.击穿区
评分规则: 【 充分理解工作在放大状态下的条件，并运用
】

【作业】2.2 半导体二极管 作业2

1、 问题:1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （ ） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
评分规则: 【 半导体的工作原理
】

2、 问题:2. 二极管的主要特性是 （ ） A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性
评分规则: 【 二极管的导电特性
】

3、 问题:3. 下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ] A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大
评分规则: 【 二极管的单项导电性
】

4、 问题: 5. 在N型半导体中，多数载流子是 （ ） A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
评分规则: 【 本征半导体
】

3.6 共射基本放大电路 3.6 单元测验

1、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】