2021 电力电子技术(常熟理工学院)1463467469 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-08到2021-06-30
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第1章 绪论 第1章 单元测验

1、 问题: 斩波一般指下列哪种变换形式
选项：
A:AC-DC
B:DC-AC
C:DC-DC
D:AC-AC
答案: 【DC-DC】

2、 问题:电力电子学是由下列哪三种学科组成
选项：
A:电力技术、电子技术及控制技术
B:电力技术、信息技术及控制技术
C:电子技术、量子力学及控制技术
D:计算机技术、自动化及控制技术
答案: 【电力技术、电子技术及控制技术】

3、 问题:电能经过适当的变换和处理以后再供负载使用，具有以下哪项特征。
选项：
A:生产效率可能降低
B:变压器体积随频率升高而变大
C:噪音加大
D:节能 省材 环保
答案: 【节能 省材 环保】

4、 问题:固定通态时间Ton，改变开关频率或周期Ts，从而改变导通比D实现输出电压控制的方法，被称为是什么调制
选项：
A:脉冲宽度调制PWM
B:脉冲频率调制PFM
C:脉冲幅度调制PAM
D:脉冲编码调制PCM
答案: 【脉冲宽度调制PWM】

5、 问题:以下哪些能够应用到开关型电力电子变换电源
选项：
A:直流远距离输电
B:直流/交流电动机变速传动控制
C:蓄电池充电电源
D:UPS
答案: 【直流远距离输电;
直流/交流电动机变速传动控制;
蓄电池充电电源;
UPS】

6、 问题:如何概括电力电子技术的含义是
答案: 【使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术】

【作业】第2章 电力电子器件 电力电子器件作业

1、 问题:1. 电力电子器件的损耗有哪些，当器件工作于高频开关时，什么损耗起主导作用？
评分规则: 【 主要损耗为开关损耗和稳态损耗，当工作高频状态时，开关损耗起主导作用。
】

2、 问题:2. 为什么电力电子设备中，器件的开关频率提高后，可以减小电路中滤波电容、电感以及变压器的体积？
评分规则: 【 对于电容器，当开关频率较高时，容抗（1/\omega C）会变小，这样容值就可以取的更小，从而又利于减小器件体积。对于电感或变压器，U=4.44f\phi N，当f提高时，\phi 会减小，从而截面积会减小，体积就会减小。
】

3、 问题:3. 描述二极管的反向恢复特性主要有哪几个参数，各代表什么意义？
评分规则: 【 主要有反向恢复电流、反向恢复时间、反向恢复电荷。
】

4、 问题:4. 通过网络查阅功率二极管产品参数，找出3个不同厂家的额定电流10~20A，反向耐压为100~200V等级的器件各一款，并比较反向恢复特性参数。
评分规则: 【 3个厂家：15分；器件是否符合要求：20分；特性比较：15分。
】

5、 问题:5. 晶闸管如何开通，有如何关断。
评分规则: 【 当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 。当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通 。若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。
】

6、 问题:•下中画斜线部分为一个2π周期中晶闸管的电流波形，若各波形的最大值为IM =100A，试计算各波形电流的平均值Id1、Id2、Id3和电流有效值I1、I2、I3。若考虑两倍的电流安全裕量，选择额定电流为100 A的晶闸管能否满足要求？
评分规则: 【 利用器件的有效值计算。
】

第2章 电力电子器件 第2章单元测试

1、 问题:目前下列哪种器件的功率等级最高：
选项：
A:SCR
B:GTR
C:MOSFET
D:IGBT
答案: 【SCR】

2、 问题:Mosfet易于并联，是由于：
选项：
A:通电流能力强；
B:导通电阻具有正温度系数；
C:导通电阻具有负温度系数；
D:通电流能力弱。
答案: 【导通电阻具有正温度系数；】

3、 问题:Mosfet管在开关和关断过程中，门极电压上可能会出现一个平台，是由于：
选项：
A:Mosfet开关速度太快；
B:Mosfet开关速度太慢；
C:米勒电容充放电引起；
D:门极电容充放电引起；
答案: 【米勒电容充放电引起；】

4、 问题:关于Mosfet管的静态特性，说法错误的是：
选项：
A:Mosfet管一定是可以反向导通的；
B:Mosfet管加正向电压，当栅漏极施加电压大于门槛电压时，会导通；
C:Mosfet管加正向电压，当栅源极施加电压大于门槛电压时，会导通；
D:Mosfet管的线性区是饱和区；
答案: 【Mosfet管加正向电压，当栅漏极施加电压大于门槛电压时，会导通；】

5、 问题:同等功率下，下面哪种器件的开关速度最快：
选项：
A:IGBT
B:MOSFET
C:GTR
D:SCR
答案: 【MOSFET】

6、 问题:以下属于电压型器件的是：
选项：
A:SCR
B:MOSFET
C:GTO
D:IGBT
E:GTR
答案: 【MOSFET;
IGBT】

7、 问题:以下属于单极性器件的是：
选项：
A:三极管
B:二极管
C:Mos管
D:IGBT
答案: 【Mos管】

8、 问题:额定电流为100A的晶闸管，若不考虑裕量，可以流过占空比50%的方波电流的最大值是：
选项：
A:50A
B:100A
C:123A
D:141A
E:157A
F:222A
答案: 【222A】

9、 问题:功率二极管的额定电流，指的是：
选项：
A:平均电流
B:有效值电流
C:峰值电流
D:通态平均电流
答案: 【通态平均电流】

10、 问题:关于功率二极管的反向恢复过程，说法正确的是：
选项：
A:功率二极管的反向恢复过程越快，对线路越有利；
B:由于二极管的反向恢复过程的存在，会产生一定的断态损耗；
C:功率二极管的反向恢复过程，与普通二极管基本一样；
D:二极管的反向恢复过程，很大程度上与N-区的存在有关。
答案: 【二极管的反向恢复过程，很大程度上与N-区的存在有关。】

11、 问题:关于功率二极管的正向导通的动态过程，说法错误的是：
选项：
A:由于N-区的存在，功率二极管正向导通过程中，正向压降会有过冲，会超过0.7V；
B:功率二极管由于正向过冲电压的存在，从而会引起一定的开通损耗；
C:功率二极管的导通过程与传统二极管一样，无区别；
D:功率二极管正向导通时，需要一定的开通时间。
答案: 【功率二极管的导通过程与传统二极管一样，无区别；】

12、 问题:关于二极管的静态特性，说法错误的是：
选项：
A:只要二极管承受正向电压，不管大小，都可以导通；
B:二极管承受正向电压大于门槛电压，就可以导通；
C:二极管承受反向电压截止，仅有很小的漏电流流过；
D:二极管施加反向电压太大时，会反向击穿烧毁
答案: 【只要二极管承受正向电压，不管大小，都可以导通；】

13、 问题:在结构上，功率二极管与小功率二极管相比不同在于：
选项：
A:体积大；
B:在传统PN结之间加了一个低掺杂浓度的N-层；
C:在传统PN结之间加了一个低掺杂浓度的P-层；
D:体积小；
答案: 【在传统PN结之间加了一个低掺杂浓度的N-层；】