2020 模拟集成电路设计 18微电子(苏州大学文正学院) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-02-23到2020-06-30
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第一部分课程概论第一部分第一次测验

1、问题:题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是：。
选项：
A:2016年7月
B:2017年7月
C:2016年9月
D:2017年9月
答案: 【2016年7月】

2、问题:题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是：。
选项：
A:资本密集
B:技术密集
C:低风险
D:高风险
答案: 【低风险】

3、问题:题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
选项：
A:12
B:18
C:24
D:36
答案: 【18 】

4、问题:题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是：。
选项：
A:More Moore
B:More than Moore
C:Beyond CMOS
D:SoC
答案: 【SoC】

5、问题:题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：。
选项：
A:LSI
B:VLSI
C:ULSI
D:SoC
答案: 【VLSI 】

6、问题:题1-1-6 年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
选项：
A:1947
B:1948
C:1957
D:1958
答案: 【1947 】

7、问题:题1-1-7 年发明了世界上第一块集成电路。
选项：
A:1957
B:1958
C:1959
D:1960
答案: 【1958 】

8、问题:题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是：。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【胡正明】

9、问题:题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者：。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【张忠谋】

10、问题:题1-1-10 世界第一块集成电路发明者：。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【基尔比】

1、问题:题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
选项：
A: 反型
B:夹断
C:导电
D:耗尽
答案: 【夹断】

2、问题:题2-1-3、在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
选项：
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:饱和区
D:三极管区
答案: 【饱和区】

3、问题:题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
选项：
A:电子
B:空穴
C:正电荷
D:负电荷
答案: 【空穴】

4、问题:题2-1-7、在NMOS中，若, 会使阈值电压（）。
选项：
A:增大
B:不变
C:减小
D:可大可小
答案: 【增大】

5、问题:题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

6、问题:题2-1-2 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）
选项：
A:导通
B:耗尽
C:反型
D:夹断
答案: 【反型】

7、问题:题2-1-5、载流子沟道在栅氧化层下形成（），漏和源之间“导通”
选项：
A:导电层
B:反型层
C:夹断层
D:耗尽层
答案: 【反型层】

8、问题:题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出的电流越理想。
选项：
A:精确
B:近似于W
C:大
D:小
答案: 【精确】

9、问题:题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻Ro是由MOS管的（）效应产生的。
选项：
A:体
B:衬底偏置
C:亚阈值导通
D:沟长调制
答案: 【沟长调制】

10、问题:题2-1-6、下图中的MOS管工作于（）区（假定阈值电压为0.7V）
选项：
A:三极管区
B:截止区
C:饱和区
D:深三极管区
答案: 【饱和区】

1、问题:题3-1-1 以下不是半导体材料的是：。
选项：
A:Si
B:Ge
C:GaAs
D:C
答案: 【C】

2、问题:题3-1-2 以下不是集成电路制造工艺特点的是：
选项：
A:超净
B:高精度
C:低精度
D:超纯
答案: 【低精度】

3、问题:题3-1-3 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是：。
选项：

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