2021 模拟电子线路A(南京邮电大学)1465418538 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-08-30到2022-01-02
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第1讲：知识单元1 – PN结与半导体二极管 PN结与半导体二极管测试

1、 问题:在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：       
选项：
A:本征半导体
B:五价半导体
C:P型半导体
D:N型半导体
答案: 【N型半导体】

2、 问题:P型半导体中，少数载流子是：
选项：
A:自由电子
B:空穴
C:带负电的杂质离子
D:带正电的杂质离子
答案: 【自由电子】

3、 问题:如果PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结：
选项：
A:反向漏电流小，反向击穿电压低。
B:反向漏电流小，反向击穿电压高。
C:反向漏电流大，反向击穿电压低。
D:反向漏电流大，反向击穿电压高。
答案: 【反向漏电流小，反向击穿电压低。】

4、 问题:稳压管是利用PN结的（   ）特性制作而成的。
选项：
A:单向导电性
B:反向击穿性
C:正向特性
D:稳压特性
答案: 【反向击穿性】

5、 问题:电路如图所示，设二极管正向导通压降为0.7V，试估算流过二极管的电流和A点的电位。
选项：
A:3.25mA；6.7V
B:4mA；8V
C:4mA；6.7V
D:其他数值
答案: 【3.25mA；6.7V】

6、 问题:在图示电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V1=10V，则电流的大小将是（  ）。
选项：
A:2mA
B:大于2mA
C:小于2mA
D:不一定
答案: 【大于2mA】

7、 问题:设下图中的二极管D为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通。
选项：
A:(a)导通 (b)导通
B:(a)导通 (b)截止
C:(a)截止 (b)导通
D:(a)截止 (b)截止
答案: 【(a)导通 (b)截止】

8、 问题:如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【杂质半导体的性质取决于杂质浓度高的元素，N型半导体内存在五价元素（每个原子提供一个自由电子），若掺入足够多的三价元素（每个原子提供一个空穴），则三价元素起主导作用，空穴浓度大于自由电子浓度，空穴成为多子，形成P型半导体。在生产半导体器件时，基于该原理，实现半导体类型的转换。】

9、 问题:由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【N型半导体是在电中性的纯净半导体基础上掺入电中性的五价元素形成的，根据电荷守恒原理，掺杂后的N型半导体仍是电中性。N型半导体中虽存在大量自由电子，但同时也存在大量的带单位正电荷的正离子（由五价原子形成），自由电子数=空穴数+正离子数，故N型半导体不会带电。】

10、 问题:PN结正偏时，势垒电容是主要的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【PN结正偏时，PN结的厚度变化不大，故势垒电容不明显，此时多子扩散到对面，成为对面的少子，少子的浓度分布曲线发生明显变化，即存储的少子数量发生了显著变化，形成了扩散电容效应，故PN结正偏时电容效应以扩散电容为主。】

第2讲：知识单元2 – 场效应管及放大电路基础 场效应管测试

1、 问题:某场效应管的|IDSS|为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为______。
选项：
A:P沟道结型管
B:N沟道结型管
C:耗尽型PMOS管
D:耗尽型NMOS管
E:增强型PMOS管
F:增强型NMOS管
答案: 【耗尽型PMOS管】

2、 问题:下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是：
选项：
A:（a）
B:（b）
C:（c）
D:（d）
E:以上都不对
答案: 【以上都不对】

3、 问题:图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会____。
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:不定
答案: 【减小】

4、 问题:某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？
选项：
A:N沟道JFET
B:P沟道JFET
C:N沟道增强型MOS管
D:P沟道增强型MOS管
答案: 【N沟道JFET】

5、 问题:由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：
选项：
A:静态工作点过于靠近饱和区
B:静态工作点过于靠近截止区
C:静态工作点过于靠近恒流区
D:静态工作点过于靠近击穿区
答案: 【静态工作点过于靠近截止区】

6、 问题:如图两个电路能否放大输入信号？
选项：
A:（a）可以 （b）可以
B:（a）可以 （b）不可以
C:（a）不可以 （b）可以
D:（a）不可以 （b）不可以
答案: 【（a）不可以 （b）不可以】

第3讲：知识单元2 – 场效应管放大电路静态&动态分析 场效应管及放大电路分析测试

1、 问题:已知场效应管的输出特性或转移特性如题图所示，试判别其类型。     （a）                            （b）
选项：
A:a图为N沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
B:a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
C:a图为N沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET
D:a图为P沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET
答案: 【a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET】

2、 问题:
选项：
A:可变电阻区
B:恒流区
C:截止区
D:不能正常工作
答案: 【截止区】

3、 问题:
选项：
A:可变电阻区
B:恒流区
C:截止区
D:不能正常工作
答案: 【恒流区】

4、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:不能放大
答案: 【】

5、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

6、 问题:
选项：
A:
B:
C:
D:不能放大
答案: 【】

7、 问题:
选项：