2020 模拟电子线路(南京邮电大学通达学院) 最新满分章节测试答案

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第1周：知识单元一 – PN结与半导体二极管（4学时） PN结与半导体二极管单元测试
第2周：知识单元二 – 场效应管及其放大电路（1）（4学时）场效应管及其放大电路（1）单元测试
第9周：知识单元五 – 集成运算放大器电路（2）集成运算放大器电路（2）单元测验
第10周：知识单元六 – 放大器中的反馈（1）放大器中的反馈（1）测试题
第11周：知识单元六 – 放大器中的反馈（2）放大器中的反馈（2）测试题
第12周：知识单元七 – 集成运放的应用（1）集成运放的应用（1）测试题

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本课程起止时间为:2020-02-17到2020-06-20
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第1周：知识单元一 – PN结与半导体二极管（4学时） PN结与半导体二极管单元测试

1、问题:P型半导体中，少数载流子是：
选项：
A:自由电子
B:空穴
C:带负电的杂质离子
D:带正电的杂质离子
答案: 【自由电子】

2、问题:在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：
选项：
A:本征半导体
B:五价半导体
C:P型半导体
D:N型半导体
答案: 【N型半导体】

3、问题:稳压管是利用PN结的（）特性制作而成的。
选项：
A:单向导电性
B:反向击穿性
C:正向特性
D:稳压特性
答案: 【反向击穿性】

4、问题:在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度与_关系十分密切。（A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）
选项：
A:AB
B:BC
C:CA
D:CB
答案: 【CA】

5、问题:如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
分析：【“足够多”的三价元素，可以提供“足够多”的空穴。】

6、问题:由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【N型半导体整体呈电中性：大量自由电子存在的同时，还有大量正离子（五价元素提供一个自由电子，成为离子）。】

7、问题:PN结正偏时，势垒电容是主要的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【PN结正偏时，势垒区较窄，扩散电容是主要的。】

8、问题:当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄；当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

第2周：知识单元二 – 场效应管及其放大电路（1）（4学时）场效应管及其放大电路（1）单元测试

1、问题:某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
选项：
A:N沟道结型管
B:P沟道结型管
C:耗尽型PMOS管
D:耗尽型NMOS管
E:增强型PMOS管
F:增强型NMOS管
答案: 【耗尽型PMOS管】

2、问题:下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是：
选项：
A:(b)
B:（a)
C:(c)
D:(d)
答案: 【(c)】

3、问题:图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会：
选项：
A:减小
B:增大
C:不变
D:不定
答案: 【减小】

4、问题:某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？
选项：
A:N沟道JFET
B:P沟道JFET
C:N沟道增强型MOS管
D:N沟道增强型MOS管
答案: 【N沟道JFET】

5、问题:由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：
选项：
A:静态工作点过于靠近截止区
B:静态工作点过于靠近饱和区
C:静态工作点过于靠近恒流区
D:静态工作点过于靠近击穿区
答案: 【静态工作点过于靠近截止区】

6、问题:如图两个电路能否放大输入信号？
选项：
A:（a）不可以（b）不可以
B:（a）可以（b）可以
C:（a）可以（b）不可以
D:（a）不可以（b）可以
答案: 【（a）不可以（b）不可以】

7、问题:共源放大电路的输入电阻通常_（A、大于， B、小于， C、等于）共射放大电路的输入电阻，因此共源放大电路从信号源索取的电流比较_（A、大， B、小，C、适中）。
选项：
A:AA
B:AB
C:AC
D:BA
E:BB
F:BC
G:CA
H:CB
I:CC
J:均不正确
答案: 【AB】

第9周：知识单元五 – 集成运算放大器电路（2）集成运算放大器电路（2）单元测验

1、问题:差分放大电路如图所示。试选择正确答案填空。1．若负载电阻RL一端接地，要求输出信号电压uO与输入信号电压uI同相位，则RL另一端应接在＿＿；要求uO与uI反相位，则RL另一端应接在＿＿。（A、C1，B、C2）2．当输入信号电压ui时，Re两端＿＿信号电压ue（A、有，B、无），对差模信号，VT1、VT2的发射极＿＿交流接地点。（C、是，D、不是）
选项：
A:1.AA2.AC
B:1.BA2.AC
C:1.BA2.BB
D:1.BA2.AB
答案: 【1.BA2.AC】

2、问题:实验电路如图所示。设调零电位器Rw滑动端位于中点，试就下列问题选择正确答案填空。（A、右移，B、左移，C、不移）1．若只因为Rc1> Rc2，而其它电路参数均对称，则为了使静态电流IC1＝ IC2，RW滑动端应＿＿；2．若只因为Rb1> Rb2，而其它电路参数均对称，则为了使静态电流IC1＝ IC2，RW滑动端应＿＿。
选项：
A:1.C2. B
B:1.C2. A
C:1.A2. B
D:1.C2. C
答案: 【1.C2. B】

3、问题:差动放大电路如图所示。设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。试选择正确答案填空（A、增大，B、减小，C、基本不变）。1．若Re增大，则静态工作电流IC2＿＿，差模电压放大倍数＿＿，共模电压放大倍数＿＿；2．若Rc增大，则静态工作电流IC2＿＿，差模电压放大倍数＿＿，共模电压放大倍数＿＿。
选项：
A:1.BAB2.CAA
B:1.BCC2.CAA
C:1.BBB2.CAA
D:1.AAB2.CAA
答案: 【1.BBB2.CAA】

4、问题:在图示放大电路中，各晶体管的参数相同，且＝100，rbb’＝0，|UBE|=0.7V，IB3可忽略不计，电阻Rc1＝Rc2＝Rc3＝10k，Re＝9.3k，Re3＝4.3k，电源电压VCC＝VEE＝10V，试估算：1．静态时，Uo＝？2．ui＝10mV时，输出信号电压uO＝？
选项：
A:Uo=2Vuo=-2V
B:Uo=0Vuo=-2V
C:Uo=0Vuo=2V
D:Uo=6Vuo=-2V
答案: 【Uo=0Vuo=-2V】

5、问题: 双端输入、双端输出，带恒流源的差分放大电路如图5所示。VT1、VT2两晶体管特性对称，b＝50，rbb’＝300W，UBE＝0.7V，稳压管VDZ的稳压值UZ＝5.3V。试估算：1.静态工作点IC1、IC2、UC1、UC2；2．差模电压放大倍数；
选项：
A:IC1=IC2=0.5mA,UC1=UC2=4.5VAud=-189.87
B:IC1=IC2=1mA,UC1=UC2=4.5VAud=-189.87
C:IC1=IC2=1mA,UC1=UC2=6VAud=-189.87