2020 模拟电子技术基础(2020春)(西安交通大学) 最新满分章节测试答案

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02：第2章半导体晶体管及放大电路基础第1章半导体二极管及其应用自测题

1、问题:本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:无关
答案: 【等于】

2、问题:在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于。
选项：
A:材料
B:温度
C:压力
D: 掺杂浓度
答案: 【掺杂浓度】

3、问题:在掺杂半导体中，少子的浓度受的影响很大。
选项：
A:温度
B:掺杂工艺
C:掺杂浓度
D:压力
答案: 【温度】

4、问题:在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度。
选项：
A:越高
B:越低
C:不变
D:无法判断
答案: 【越低】

5、问题:N型半导体。
选项：
A:就是空穴型半导体
B:带正电
C:带负电
D:呈电中性
答案: 【呈电中性】

6、问题:温度升高，N型半导体的电阻率。
选项：
A:将增大
B:将减小
C:不变
D:无法判断
答案: 【将增大】

7、问题:环境温度升高，二极管的反向饱和电流
选项：
A:将增大
B:将减小
C:不变
D:无法判断
答案: 【将增大】

8、问题:普通二极管的正向电压降温度系数。
选项：
A:为正
B:为负
C:为零
D:无法判断
答案: 【为负】

9、问题:确保二极管安全工作的两个主要参数分别是和。
选项：
A:UD ，IF
B:IF ，IS
C:UD，UR
D:IF，UR
答案: 【IF，UR】

10、问题:对于稳定电压为10V的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压。
选项：
A:将升高
B:将降低
C:不变
D:无法判断
答案: 【将升高】

11、问题:二极管的反偏电压升高，其结电容。
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:无法判断
答案: 【减小】

12、问题:硅二极管的死区电压约为。
选项：
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D:0.5V
答案: 【0.5V】

13、问题:二极管的伏安特性表示式为。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

14、问题:已知二极管的静态工作点UD和ID，则其静态电阻为。
选项：
A:UD/ID
B:UT/ID
C:UD/IS
D:UT/IS
答案: 【UD/ID】

15、问题:已知二极管的静态工作点UD和ID，则其动态电阻为。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

16、问题:某硅二极管在正向电压时，正向电流。若增大到0.66V，则电流约为。
选项：
A:11mA
B:20mA
C:500mA
D:100mA
答案: 【100mA】

1、问题:晶体管能够放大的外部条件是。
选项：
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 【发射结正偏，集电结反偏】

2、问题:当晶体管工作于饱和状态时，其。
选项：
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 【发射结正偏，集电结正偏】

3、问题:硅晶体管的死区电压约为。
选项：
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D: 0.5V
答案: 【 0.5V】

4、问题:锗晶体管的导通压降|UBE|约为。
选项：
A:0.1V
B:0.3V
C:0.5V
D:0.7V
答案: 【0.3V】

5、问题:测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的b为。
选项：
A:40
B:50
C:60
D:100
答案: 【60】

6、问题:温度升高，晶体管的电流放大系数b 。
选项：
A:无法判断
B:不变
C:减小
D:增大
答案: 【增大】

7、问题:温度升高，晶体管的管压降|UBE| 。
选项：
A:增大
B:减小

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