2020 模拟电子技术基础(长沙理工大学)1206406204 最新满分章节测试答案

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第1章 常用半导体器件 第1章 单元测验

1、 问题:场效应管起放大作用时应工作在漏极输出特性曲线的（ ）。
选项：
A:非饱和区
B:饱和区
C:截止区
D:击穿区
答案: 【饱和区】

2、 问题:当NPN型晶体管工作在放大区时，各极直流电位关系为UC （ ）UB（ ）UE 。
选项：
A: >
B:<
C:=
D:≤
答案: 【 > 】

3、 问题:一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ ）
选项：
A:大
B:小
C:相等
D:无法确定
答案: 【大】

4、 问题:PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）
选项：
A:无法确定
B:变窄
C:基本不变
D:变宽
答案: 【变窄】

5、 问题:下列器件不是非线性器件是（ ）
选项：
A:二极管
B:三极管
C:场效应管
D:理想电阻元件
答案: 【理想电阻元件】

6、 问题:某放大电路中，用万用表测得某三极管三个极的正常直流工作电压分别为10.3V、11V、3V，则该三极管为（ ）
选项：
A:NPN硅管
B:PNP硅管
C:NPN锗管
D:PNP锗管
答案: 【PNP硅管】

7、 问题:半导体材料的价电子数目一般为（ ）。
选项：
A:3个
B:4个
C:5个
D:2个
答案: 【4个】

8、 问题:下列关于载流子，说法不正确的是：（ ）
选项：
A:能四处自由移动的带电粒子，就是载流子。
B:自由电子是载流子。
C:空穴是载流子。
D:束缚电子能填补周边的空穴，从而能使空穴能四处移动，因此，束缚电子也是载流子。
答案: 【束缚电子能填补周边的空穴，从而能使空穴能四处移动，因此，束缚电子也是载流子。】

9、 问题:在杂质半导体中，温度变化时，______。
选项：
A: 载流子的数目不变化 。
B:少子与多子变化的数目不相同 。
C:少子与多子浓度的变化相同。
D:多子浓度受温度的影响小，少子浓度受温度的影响大。
答案: 【多子浓度受温度的影响小，少子浓度受温度的影响大。】

10、 问题:下列关于PN结的反向特性，描述错误的是：（ ）
选项：
A:PN结加反向电压时，反向电流是由少子的漂移运动所形成的。
B:PN结反向饱和电流与温度有比较大的联系，与反偏电压的大小联系不大。
C:因为少子的浓度低，很微小的反偏电压，就能把所有的少子形成反向电流，如果再增加反偏电压，由于没有可传输的少数载流子了，反向电流也几乎不再增加了。
D:反偏电压大，反向饱和电流也会随之增大。
答案: 【反偏电压大，反向饱和电流也会随之增大。】

11、 问题:PN结的电流方程，也即伏安特性方程为：下面描述错误的是：（ ）
选项：
A:上式中，Is为PN结的反向饱和电流。
B:上式中，UT 称为温度的电压当量，始终为一个常量值。
C:为PN结正向特性的简化电流方程。
D:为PN结反向特性的简化电流方程。
答案: 【上式中，Is为PN结的反向饱和电流。】

12、 问题:如图所示PN结的伏安特性曲线，下列描述不正确的是：（ ）
选项：
A:PN结的伏安特性曲线，包含正偏、反偏和反向击穿等三个部分
B:正偏特性曲线表明：PN结正偏时具有导通特性，且导通后具有小电压恒压特性。
C:反偏特性曲线表明：PN结反偏时具有截止特性。
D:PN结的反向击穿特性具有恒压特性，并且是导通的。此时的反向电流仍是少子漂移形成的。
答案: 【PN结的反向击穿特性具有恒压特性，并且是导通的。此时的反向电流仍是少子漂移形成的。】

13、 问题:当PN结达到动态平衡时，参与扩散运动的载流子数目______漂移运动的载流子数目。
选项：
A:大于
B:等于
C:小于
D:无法比较
答案: 【等于】

14、 问题:关于温度对二极管伏安特性曲线的影响，下列说法不正确的是：（ ）
选项：
A:温度升高，二极管的正向特性曲线要向左边移动，也就是说，对于二极管两端固定的电压值，温度升高，二极管两端电流要增加。
B:温度升高，二极管的正向特性曲线要向左边移动，也就是说，对于二极管两端固定的电流值，温度升高，二极管两端电压要增加。
C:温度升高时，二极管的反向特性下移幅度大，说明反向饱和电流增大得快，受温度影响大。这是因为温度升高，本征激发增强，导致二极管两个扩散区中的少子浓度增加所引起的。
D:温度升高时，反向击穿电压值也下降了。
答案: 【温度升高，二极管的正向特性曲线要向左边移动，也就是说，对于二极管两端固定的电流值，温度升高，二极管两端电压要增加。】

15、 问题:最能体现二极管单向导电性，也即开关特性的参数是（ ），其值越小，说明开关特性越好。
选项：
A:最大整流电流IF
B:最高反向工作电压UR
C:反向饱和电流IS
D:最高工作频率fM
答案: 【反向饱和电流IS】

16、 问题:正向导通的二极管的交流等效电阻，下面描述不正确的是（ ）
选项：
A:UT是温度的电压当量值，因此，rd的大小与温度有关。
B:ID是二极管的直流静态电流值，说明，不同的静态工作点，rd的大小不同。
C:二极管处于反向截止时，交流等效电阻。
D:二极管的交流等效电阻，可近似认为是PN结的交流等效电阻。
答案: 【二极管处于反向截止时，交流等效电阻。】

17、 问题:下面关于稳压二极管的描述，不正确的是（ ）。
选项：
A:稳压二极管是工作在反向击穿区的一类特殊二极管。
B:稳压管反相击穿后，两端与反向击穿电压值近似相等的这个稳定电压值，称为稳压管的稳定电压UZ。
C:稳压二极管的正向，反向特性和普通二极管一样，也是加正偏电压近似导通，加反偏电压近似截止，但稳压管的反向击穿电压较低，且反向击穿后的特性曲线更陡。
D:稳压二极管反向击穿后，在任意电流范围内，均能实现稳压。
答案: 【稳压二极管反向击穿后，在任意电流范围内，均能实现稳压。】

18、 问题:需要了解稳压二极管的稳压性能时，主要需要查看稳压二极管的哪一个技术参数（ ）。
选项：
A:稳定电压UZ
B:稳定电流Izmin
C:额定功耗Pzm
D:动态电阻rz
答案: 【动态电阻rz】

19、 问题:下面关于变容二极管，描述不正确的是（ ）。
选项：
A:变容二极管的结电容由扩散电容和势垒电容两部分组成。
B:变容二极管是一个可受电压控制的线性电容。
C:变容二极管主要考虑其结电容效应，结电容容值非常小，低频时，可近似为开路，只有在高频时，才体现其电容效应来。
D:变容二极管由一个PN结所构成，其伏安特性曲线与普通二极管相似。
答案: 【变容二极管是一个可受电压控制的线性电容。】

20、 问题:关于发光二极管，下面描述不正确的是（ ）。
选项：
A:发光二极管也是由一个PN结所构成。发光原理是：PN结加正偏电压后，多子扩散加强，PN结中的电子和空穴复合后产生光子发光。
B:发光二极管发光的颜色与半导体的材料有关，有多种颜色。发光二极管还可以制成各种形状。
C:发光二极管的正向开启电压和导通电压与普通二极管差不多大。
D:发光二极管需要足够大的正向电流，才会发光，工作电流一般在几mA至几十mA之间，正向电流越大，发光越强。
答案: 【发光二极管的正向开启电压和导通电压与普通二极管差不多大。】

21、 问题:下面关于光电二极管，描述错误的是（ ）。
选项：
A:光电二极管工作在第四象限时，是不需要外加电源的。
B:在光电二极管内部，光电流的方向是从P区流向N区的。
C:光电二极管在反偏电压下，受到光照，因本征激发而产生的反向电流称为光电二极管的光电流。
D:光电二极管无光照时的反向电流称为光电二极管的暗电流。
答案: 【在光电二极管内部，光电流的方向是从P区流向N区的。】

22、 问题:设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是_____。
选项：
A:
B:
C:
D:无法确定
答案: 【】

23、 问题:稳压管的稳压区是其工作在_。
选项：
A:正向导通区
B:反向截止区
C:反向击穿区
D:无法确定