2021 模拟电子技术(南京信息工程大学) 最新满分章节测试答案
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本课程起止时间为:2021-05-19到2021-09-06
第二章二极管及其应用 02二极管及其应用
1、 问题: PN结加正向电压时，空间电荷区将 。
选项：
A: 变窄
B:基本不变
C:变宽
D:无法确定
答案: 【 变窄】
2、 问题: P型半导体是在纯净半导体中掺入____。
选项：
A:带负电的电子
B:带正电的离子
C:三价元素，如硼等
D:五价元素，如磷等
答案: 【三价元素，如硼等】
3、 问题:当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
选项：
A:增大
B:不变
C:减小
D:无法确定
答案: 【增大】
4、 问题:由理想二极管组成的电路如下图所示，其A,B两端的电压Uab应为 。
选项：
A:－12V
B:－6V
C:＋12V
D:＋6V
答案: 【－6V】
5、 问题:已知图中二极管的反向击穿电压为100V，在V＝10V时，测得I＝1μA 。 当V增加到20V时，I将____。
选项：
A:为2μA 左右
B:小于1μA
C:变化不大
D:远大于2μA
答案: 【变化不大】
6、 问题:在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，UD=0.7V。当V调到6V，则I将为____。
选项：
A:1mA
B:大于1mA，但小于2mA
C:2mA
D:大于2mA
答案: 【大于2mA】
7、 问题:当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:不变
答案: 【大于】
8、 问题:稳压管的稳压区是其工作在 。
选项：
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:无法确定
答案: 【反向击穿】
9、 问题:电路如图所示，ui=0.1sinωt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻rd将____。
选项：
A:增大
B:减小
C:保持不变
D:无法确定
答案: 【减小】
10、 问题:硅二极管的正向电压从0.65V增大10％，则流过的正向电流增大____。
选项：
A:约10％
B:小于10％
C:大于10％
D:无法确定
答案: 【大于10％】
11、 问题:在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____。
选项：
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:无法确定
答案: 【杂质浓度】
12、 问题:在杂质半导体中，少数载流子的浓度与____关系十分密切。
选项：
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:无法确定
答案: 【温度】
13、 问题:随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____。
选项：
A:明显增大
B:明显减小
C:变化较小
D:无法确定
答案: 【明显增大】
14、 问题:随着温度的升高，在杂质半导体中，多数载流子的浓度____。
选项：
A:明显增大
B:明显减小
C:变化较小
D:无法确定
答案: 【变化较小】
15、 问题:设某二极管在正向电流ID＝10mA时。其正向压降UD＝0.65V。在ID保持不变的条件下，当二极管的结温升高20℃，UD约为____。
选项：
A: 0.4V
B:0.6V
C: 0.65V
D:0.7V
答案: 【0.6V】
16、 问题:已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I＝1μA 。当R从10kΩ减小至5kΩ时，I将____。
选项：
A:为2μA 左右
B:为0.5μA 左右
C:变化不大
D:远大于2μA
答案: 【变化不大】
17、 问题:已知图中二极管的反向击穿电压为100V，测得I＝1μA 。保持V和R不变，温度下降10℃，I将____。
选项：
A:为2μA 左右
B:为0.5μA 左右
C:变化不大
D:远大于2μA
答案: 【为0.5μA 左右】
18、 问题:设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。
选项：
A:ISeU
B:ISeU/UT
C: ISe(U/UT-1)
D:无法确定
答案: 【 ISe(U/UT-1)】
19、 问题:稳压管的稳压区是其工作在 。
选项：
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:无法确定
答案: 【反向击穿】
20、 问题:当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:不变
答案: 【大于】
21、 问题:当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
选项：
A:大于
B:小于
C:等于
D:不变
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