2022 模拟电子技术(北京交通大学)1467139726 最新满分章节测试答案
- 第2讲 (第2章 晶体二极管及应用电路 续) 第2章测试
- 【作业】第2讲 (第2章 晶体二极管及应用电路 续) 第2章作业 题 2-1,2-2, 2-3, 2-4, 2-5
- 【作业】第4讲 (第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续1) 第3章作业:题3-1,3-2,3-3,3-4
- 【作业】第5讲 (第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续2) 第3章作业:题3-5,3-6,3-7,3-8
- 【作业】第6讲 (第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续3) 第3章作业:题3-9,3-10,3-11
- 第3章 测试 第3章 测试 (题库中有55题,每次随机抽取15题)
- 【作业】第8讲 (第4章 场效应管及其基本放大电路 续1) 第4章作业:题4.4、4.5、4.6
- 【作业】第7讲 (第4章 场效应管及其基本放大电路) 第四章作业 4-1,4-2,4.3
- 第8讲 (第4章 场效应管及其基本放大电路 续1) 第4章 测试
- 【作业】第10讲 (第5章 放大电路的频率响应 续1) 第5章 题5-1, 5-2, 5-3, 5-4, 5-5, 5-6, 5-7, 5-8
- 第10讲 (第5章 放大电路的频率响应 续1) 第5章 测试
- 【作业】第11讲 (第6章 负反馈放大电路) 第6章作业 题6-1、6-3
- 【作业】第13讲 (第6章 负反馈放大电路 续2) 第6章作业 题6-2、6-4、6-5、6-6
- 【作业】第14讲 (第7章 模拟集成电路内部基本单元电路) 第7章作业:题7-1、7-2
- 第13讲 (第6章 负反馈放大电路 续2) 第6章 测试
- 【作业】第16讲(第7章 模拟集成电路内部基本单元电路 续2) 第7章作业:题7-7、7-8
- 【作业】第15讲 (第7章 模拟集成电路内部基本单元电路 续1) 第7章作业: 题 7-3、7-4、7-5、7-6
- 第16讲(第7章 模拟集成电路内部基本单元电路 续2) 第7章 测试
- 【作业】第17讲(第8章 模拟集成电路的分析与应用) 第8章作业:题8-1、8-2、8-3、8-4
- 【作业】第19讲(第8章 模拟集成电路的分析与应用 续2) 第8章作业:题8-5、8-6、8-7
- 【作业】第20讲(第9章 直流稳压源电路) 第9章作业: 题9-1,9-2, 9-3, 9-4
- 第20讲(第9章 直流稳压源电路) 第9章 测验
- 第19讲(第8章 模拟集成电路的分析与应用 续2) 第8章 测试题
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本课程起止时间为:2022-02-26到2022-07-27
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第2讲 (第2章 晶体二极管及应用电路 续) 第2章测试
1、 问题:N型半导体是在本征半导体中掺入( )
选项:
A:五价元素
B:四价元素
C:三价元素
D:二价元素
答案: 【五价元素】
2、 问题:P型半导体是在本征半导体中掺入( )
选项:
A:五价元素
B:四价元素
C:三价元素
D:二价元素
答案: 【三价元素】
3、 问题:当温度升高时,二极管的反向饱和电流会 ( ) 。
选项:
A:增大
B:减小
C:不变
D:随机态
答案: 【增大】
4、 问题:当温度升高时,二极管导通压降会( ) 。
选项:
A:增大
B: 减小
C:不变
D:随机态
答案: 【 减小】
5、 问题:PN结电容包括( )。
选项:
A:势垒电容和扩散电容
B:耦合电容和旁路电容
C:垒电容和耦合电容
D:散电容和旁路电容
答案: 【势垒电容和扩散电容】
6、 问题:本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
7、 问题:P型半导体带正电,N型半导体带负电。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
8、 问题:在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
9、 问题:PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
10、 问题:在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
【作业】第2讲 (第2章 晶体二极管及应用电路 续) 第2章作业 题 2-1,2-2, 2-3, 2-4, 2-5
1、 问题:
评分规则: 【
】
2、 问题:
评分规则: 【
】
3、 问题:
评分规则: 【
】
4、 问题:
评分规则: 【
】
5、 问题:
评分规则: 【
】
【作业】第4讲 (第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续1) 第3章作业:题3-1,3-2,3-3,3-4
1、 问题:
评分规则: 【
】
2、 问题:
评分规则: 【
】
3、 问题:
评分规则: 【
】
4、 问题:
评分规则: 【
】
【作业】第5讲 (第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续2) 第3章作业:题3-5,3-6,3-7,3-8
1、 问题:
评分规则: 【
】
2、 问题:
评分规则: 【
】
3、 问题:
评分规则: 【
】
4、 问题:
评分规则: 【
】
【作业】第6讲 (第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续3) 第3章作业:题3-9,3-10,3-11
1、 问题:
评分规则: 【
】
2、 问题:
评分规则: 【
】
3、 问题:题3-11有一定的难度,学生们可以作为任选题。
评分规则: 【
】
第3章 测试 第3章 测试 (题库中有55题,每次随机抽取15题)
1、 问题:晶体三极管工作在放大区时,具有如下特点
选项:
A:发射结正偏,集电结反偏。
B:发射结反偏,集电结正偏。
C:发射结正偏,集电结正偏。
D:发射结反偏,集电结反偏。
答案: 【发射结正偏,集电结反偏。】
2、 问题:晶体三极管工作在饱和区时,具有如下特点
选项:
A:发射结正偏,集电结反偏。
B:发射结反偏,集电结正偏。
C:发射结正偏,集电结正偏。
D:发射结反偏,集电结反偏。
答案: 【发射结正偏,集电结正偏。】
3、 问题:在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中,电压放大倍数小于1的是______组态。
选项:
A:共射
B:共集
C:共基
D:不确定,取决于外围电路。
答案: 【共集】
4、 问题:对于下图所示放大电路,当用直流电压表测得UCE≈VCC时,有可能是因为______。
选项:
A:RB开路
B: RC开路
C:RB短路
D:RB过小
答案: 【RB开路】
5、 问题:对于下图所示放大电路,当用直流电压表测得UCE≈0时,有可能是因为__。
选项:
A:RB开路
B: RC开路
C:RB短路
D:RB过小
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