2021 大学物理-电磁学(缪劲松)(北京理工大学) 最新满分章节测试答案

2024年10月14日 分类:免费网课答案 作者:网课帮手

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本课程起止时间为:2021-09-10到2021-12-31
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第二周 第二周 单元测验

1、 问题:
选项:
A:0
B:
C:
D: 
答案: 【0

2、 问题:
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

3、 问题: 
选项:
A: 
B:
C:
D:
答案: 【 

4、 问题:
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

5、 问题:
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

6、 问题:
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

7、 问题:
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

8、 问题:
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

9、 问题:高斯定理
选项:
A:适用于任何静电场。
B:只适用于真空中的静电场。
C:只适用于具有球对称性、轴对称性和平面对称性的静电场。
D:只适用于可以找到合适的高斯面的静电场。
答案: 【适用于任何静电场。

10、 问题:
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

11、 问题:
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

12、 问题:
选项:
A:半径为 R 的均匀带电球面。
B:点电荷。
C:半径为 R 的均匀带电球体。
D:内外半径分别为 r 和 R 的同心均匀带球壳。
答案: 【半径为 R 的均匀带电球面。

13、 问题:如图所示,两个无限大均匀带电平面平行放置,电荷面密度均为。则在这两个带电平面所隔开的三个区域(A区、B区、C区)的电场强度大小分别是
选项:
A:
B:
C:
D:
E:
F:
G:
答案: 【

14、 问题:在真空中,有A、B两平行板,其间距离为d(很小),两板面积均为S,所带电荷量分别为,则两板间的静电作用力为
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

15、 问题:如图所示,任一闭合曲面S内有一点电荷q,O为S面上任一点,若将q由闭合曲面内的P点移到T点,且OP = OT,那么
选项:
A:穿过S面的电通量改变,O点的场强大小不变。
B:穿过S面的电通量改变,O点的场强大小改变。
C:穿过S面的电通量不变,O点的场强大小改变。
D:穿过S面的电通量不变,O点的场强大小不变。
答案: 【穿过S面的电通量不变,O点的场强大小不变。

16、 问题:下列关于静电场的说法,正确的是:
选项:
A:静电场线可以闭合。
B:电场中某点电场强度的方向,就是放在该点的检验电荷所受电场力的方向。
C:电场线越密的地方,同一电荷所受电场力越大。
D:正电荷只在电场力作用下一定沿电场线运动。
答案: 【电场线越密的地方,同一电荷所受电场力越大。

17、 问题:正电荷q均匀地分布在半径为R的圆环上,为方便用叠加原理计算通过环心并垂直环面的轴线上任一点的电场强度,电荷元dq可取为:     
选项:
A:,()
B:,()
C:,()
D:,()
答案: 【,()

18、 问题:正电荷q均匀地分布在半径为R的圆盘上,为方便用叠加原理计算通过盘心并垂直盘面的轴线上任一点的电场强度,电荷元dq可取为:       
选项:
A:,()
B:,()
C:,()
D:,()
答案: 【,()

19、 问题:正电荷q均匀地分布在半径为R的球体内,为方便用叠加原理计算球外任一点的电场强度,电荷元dq可取为:
选项:
A:,()
B:,()
C:,()
D:,()
答案: 【,()

20、 问题:正电荷q均匀地分布在半径为R的圆环上,则环上线元所带的电荷元在通过环心、并垂直环面的轴线上,与环心O相距的一点所激发的电场强度沿轴方向分量的大小为   
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

21、 问题:由高斯定理不难证明,在一个电荷面密度为的均匀带电球面内电场强度处处为零。在球面上选取的一小面元dS带有dS的电荷量,该电荷元在球面内各点产生的电场强度
选项:
A:处处为零。
B:不一定都为零。
C:处处不为零。
D:无法判断。
答案: 【处处不为零。

22、 问题:如图所示,在C点放置一个点电荷q,在A点放置另一点电荷Q,S是包围点电荷q的封闭曲面,P点是曲面S上任意一点。现将点电荷Q从A点移到B点,则      
选项:
A:通过S面的电场强度通量改变,但P点的电场强度不变。
B:通过S面的电场强度通量改变,P点的电场强度也改变。
C:通过S面的电场强度通量不变,P点的电场强度也不变。
D:通过S面的电场强度通量不变,但P点的电场强度改变。
答案: 【通过S面的电场强度通量不变,但P点的电场强度改变。

23、 问题:如图所示,在半径为、电荷体密度为的均匀带电球体内部,有一个半径为的球形空腔,空腔中心与球心之间的距离为a,下列说法中正确的是    
选项:
A:可以取一高斯面,直接用高斯定理求空腔内任一点处的电场强度。

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