2021 半导体物理A(电子科技大学)1463773474 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2021-03-15到2021-07-31
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第一章 半导体的晶体结构与价键模型 第一章 半导体的晶体结构与价键模型测试题

1、 问题:晶体是指固体材料中的原子无规律的周期性排列。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

2、 问题:非晶态固体材料中的原子有规律地长程有序地排列，但在几个原子的范围内保持着有序性，或称为短程有序。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

3、 问题:理想晶体由相同的结构单元在空间无限重复排列而构成。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

4、 问题:密勒指数是描写布喇菲点阵中晶面方位的一组互质的整数。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

5、 问题:原子最外层的电子称为芯电子。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

6、 问题:共价键是相邻原子间通过共用自旋方向相同的电子对与原子核间的静电作用形成的。 
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

7、 问题:共价键成键的条件是成键原子得失电子的能力差别较大。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

8、 问题:共价键的数目遵从8-N原则。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

9、 问题:半导体中有两种载流子。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

10、 问题: C、Si、Ge晶体都属于闪锌矿型结构。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

第二章 半导体的电子结构 第二章 半导体的电子结构测试题

1、 问题:德布罗意（De Broglie）波长是普朗克常数（Planck）和粒子的（   ）的比值。
选项：
A:动能
B:动量
C:速度
D:势能
答案: 【动量】

2、 问题:海森伯堡‍测不准原理是指对于同一粒子不可能同时确定其（    ）动量。
选项：
A:‍‍动能和动量
B:势能和动量
C:坐标和动量 
D:势能和坐标
答案: 【坐标和动量 】

3、 问题:量子化能级是（    ）的能级。
选项：
A:分立
B:连续
C:很多
D:很少
答案: 【分立 】

4、 问题:波粒二象性是指微观粒子有时表现为（    ），而电磁波有时表现为粒子性。
选项：
A:高温性
B:低温性 
C:波动性  
D:粒子性
答案: 【波动性  】

5、 问题:光照产生的载流子叫（    ）载流子。
选项：
A:光生
B:电生
C:热生 
D:冷生
答案: 【光生 】

6、 问题:热激发产生的载流子叫（    ）载流子。
选项：
A:光生
B:电生
C:热生 
D:冷生
答案: 【热生 】

7、 问题:空带上能量最低的允带称为（    ）。
选项：
A:价带
B:导带
C:禁带
D: 能带
答案: 【导带】

8、 问题:价电子所在的允带称为（    ）。
选项：
A:价带
B:导带
C:禁带
D:能带
答案: 【价带】

9、 问题:导带底与价带顶之间的能量区域称为（    ）。
选项：
A:价带
B:导带 
C:禁带
D:能带
答案: 【禁带】

10、 问题:禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（    ）。
选项：
A:和
B:差
C:‍积
D:商
答案: 【差】

11、 问题:载流子跃迁前后在（    ）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。
选项：
A:导带底
B:导带顶
C:禁带中
D:禁带外
答案: 【导带底】

12、 问题:载流子跃迁前后在（    ）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。
选项：
A:导带底 
B: 导带顶
C:禁带中
D:禁带外
答案: 【导带底 】

第三章 半导体中的载流子 半导体中的载流子的定性描述”测试题

1、 问题:  在纯Si中掺入下列（      ）元素，Si将变为n型半导体。
选项：
A:Ca
B:As
C:Ga
D:C
答案: 【As】

2、 问题: 在纯Ge中掺入下列（       ）元素，Ge将变为p型半导体。
选项：
A:In
B:Si
C:Br
D:N
答案: 【In】

3、 问题:某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，那么此Si半导体主要是（    ）导电。
选项：
A:电子 
B:空穴
C:声子
D:不确定