2020 光电测试技术(湖北工程学院) 最新满分章节测试答案

2025年1月4日 分类:免费网课答案 作者:网课帮手

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本课程起止时间为:2020-04-13到2020-06-30
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【作业】第2章 光电探测器理论基础 光电探测器理论基础作业

1、 问题:被光激发产生的电子溢出物质表面,形成真空中的电子的现象叫做()。A.内光电效应  B. 外光电效应  C.光生伏特效应  D.丹培效应
评分规则: 【 答案:B

2、 问题:半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。   A.价带,导带    B.价带,禁带    C.禁带,导带    D.导带,价带
评分规则: 【 A

3、 问题:一个电阻值为1000欧姆的电阻,在室温下,工作带宽为1Hz时,热噪声均方根电压为  A 3nV    B 4nV    C 5nV    D 6nV
评分规则: 【 B

4、 问题:
评分规则: 【 B

5、 问题:
评分规则: 【 B

6、 问题:比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。 (   )
评分规则: 【

7、 问题:探测率是一个反映探测器探测能力的物理量,探测率越大,说明探测器的探测能力越强。( )
评分规则: 【

8、 问题:噪声等效功率是信噪比为1时,入射到探测器上的信号辐射通量。(  )
评分规则: 【

9、 问题:量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。(  )
评分规则: 【

10、 问题:波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收,改变本征半导体的导电特性。(   )
评分规则: 【

11、 问题:
评分规则: 【

12、 问题:
评分规则: 【

13、 问题:
评分规则: 【

14、 问题:
评分规则: 【

15、 问题: 某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功,并且导带底在真空能级下位7.5eV。试计算:(1)产生光电效应的长波限;(2)产生费米能级相对于导带底的能级。
评分规则: 【

第2章 光电探测器理论基础 光电探测器理论基础自测

1、 问题:被光激发产生的电子溢出物质表面,形成真空中的电子的现象叫做()
选项:
A:内光电效应
B:外光电效应
C:光生伏特效应
D:丹培效应
答案: 【外光电效应

2、 问题:半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
选项:
A:价带,导带
B:价带,禁带
C:禁带,导带
D:导带,价带
答案: 【价带,导带

3、 问题:一个电阻值为1000欧姆的电阻,在室温下,工作带宽为1Hz时,热噪声均方电压为()
选项:
A:3nV
B:4nV
C:5nV
D:6nV
答案: 【4nV

4、 问题:已知一束激光功率为30mW、波长为0.6328um,普朗克常数则该激光束的光子流速率N为()
选项:
A:‍个/秒
B:‍个/秒
C:‍个/秒
D:‍个/秒
答案: 【个/秒

5、 问题: 某半导体光电器件的长波限为13um,其杂质电离能‍为()
选项:
A:0.095J‍
B:0.095eV‍
C:J
D:eV
答案: 【0.095eV‍

6、 问题:已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为‍,‍,则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是()
选项:
A:甲厂灵敏度高
B:乙厂灵敏度高
C:甲乙两场灵敏度一样高
D:无法比较
答案: 【乙厂灵敏度高

7、 问题:光电发射材料的光电发射长波限为680nm,该光电发射材料的光电发射阈值的大小为()
选项:
A:
B:
C:1.82J‍
D:1.83eV‍
答案: 【1.83eV‍

8、 问题:已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um,则该材料的禁带宽度为()
选项:
A:0.886J
B:0.886eV
C:886J
D:886eV
答案: 【0.886eV

9、 问题:对于P型半导体来说,以下说法正确的是()
选项:
A:电子为多子
B:空穴为少子
C:能带图中施主能级靠近于导带底
D:能带图中受主能级靠近于价带顶
答案: 【能带图中受主能级靠近于价带顶

10、 问题:有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是()
选项:
A:半导体对光的吸收主要是本征吸收
B:半导体对光的吸收主要是非本征吸收
C:产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值
D:产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值
答案: 【半导体对光的吸收主要是本征吸收

11、 问题:对于N型半导体来说,以下说法正确的是()
选项:
A:费米能级靠近导带底‍
B:空穴为多子
C:电子为少子
D:费米能级靠近靠近于价带顶
答案: 【费米能级靠近导带底‍

12、 问题:一束功率为30mW、波长为0.6328um的激光束的光子流速率N为()
选项:
A:个/秒
B:‍个/秒
C:‍个/秒
D:个/秒
答案: 【个/秒

13、 问题:某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功,并且导带底在真空能级下位7.5eV,则产生光电效应的长波限()
选项:
A:0.496um
B:0.496nm
C:0.248um
D:0.248um
答案: 【0.496um

14、 问题:某型号硅APD光敏面直径为0.5mm,等效噪声功率为,电流灵敏度为77A/W,求该光电探测器的比探测率()
选项:
A:
B:
C:
D:
答案: 【

15、 问题:探测器的,探测器光敏面积的直径为0.5cm,用于的光电仪器中,它能探测的最小辐射功率为()
选项:
A:
B:
C:‍
D:‍
答案: 【

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