2018 模拟电子技术(郑州职业技术学院)1002727012 最新满分章节测试答案
本答案对应课程为:点我自动跳转查看
本课程起止时间为:2018-04-02到2018-06-29
本篇答案更新状态:已完结
第1讲 半导体二极管及其应用 测验1 半导体二极管测验
1、 问题:在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体。
选项：
A:三价
B:四价
C:五价
D:六价
答案: 【五价】
2、 问题:PN结加正向电压时，空间电荷区将 。
选项：
A:变窄
B:变宽
C:基本不变
D:条件不全，无法判断
答案: 【变窄】
3、 问题:当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
选项：
A:增大
B:条件不全,无法判断
C:不变
D:减小
答案: 【增大】
4、 问题:稳压管的稳压区是其工作在 。
选项：
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:正向导通或反向截止
答案: 【反向击穿】
5、 问题:发光二极管发光时，其工作在 。
选项：
A:正向导通区
B:反向截止区
C:反向击穿区
D:正向导通区或反向击穿区
答案: 【正向导通区】
6、 问题:当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，这是因为此时PN结内部的 。
选项：
A:多数载流子浓度增大
B:少数载流子浓度增大
C:多数载流子浓度减小
D:少数载流子浓度减小
答案: 【少数载流子浓度增大】
7、 问题:发光二极管正常工作时，外加 电压
选项：
A:正向
B:反向
C:击穿
D:交流
答案: 【正向】
8、 问题:光电二极管正常工作时，外加 电压。
选项：
A:正向
B:反向
C:击穿
D:交流
答案: 【反向】
9、 问题:某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5V（正向偏置）和－5V（反向偏置）时， 稳压管两端的最终电压分别为 。
选项：
A:+5V和-5V
B: -5V 和+4V
C:+4V和-0.7V
D: +0.7V和-4V
答案: 【 +0.7V和-4V】
10、 问题:把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管 。
选项：
A:基本正常
B:将被击穿
C: 将被烧坏
D:电流为0
答案: 【 将被烧坏】
11、 问题:当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于 。
选项：
A:很小的电阻
B:很大的电阻
C:短路
D:绝对开路
答案: 【很大的电阻】
12、 问题:某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压 。
选项：
A:约等于150V
B:略大于150V
C:等于75V
D:等于300V
答案: 【等于75V】
13、 问题:测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，测量结果将会 。
选项：
A:变大
B:变小
C:不变
D:不能确定
答案: 【变小】
14、 问题:杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于
选项：
A:温度
B:掺杂工艺
C:掺杂浓度
D:晶格缺陷
答案: 【掺杂浓度】
15、 问题:变容二极管在电路中的主要作用是 。
选项：
A:整流
B:稳压
C:发光
D:可变电容器
答案: 【可变电容器】
16、 问题:在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改变为P型半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
17、 问题:因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
18、 问题:PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
19、 问题:二极管是线性元件。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
20、 问题:一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
21、 问题:不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
22、 问题:二极管具有单向导电性。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
23、 问题:二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
24、 问题:当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压时，其反向电流迅速增加。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
25、 问题:二极管加正向电压时一定导通。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
26、 问题:二极管加反向电压时一定截止。
选项：
本文章不含期末不含主观题！！
本文章不含期末不含主观题！！
支付后可长期查看
有疑问请添加客服QQ 2356025045反馈
如遇卡顿看不了请换个浏览器即可打开
请看清楚了再购买哦，电子资源购买后不支持退款哦
