2018 模拟电子技术(常州工业职业技术学院)1003806009 最新满分章节测试答案

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项目一 任务1 低频小信号放大电路的分析与装调 项目一任务1练习

1、 问题:硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( )。
选项：
A:基本不变
B:减小
C:增大
D:先减小，再增大
答案: 【基本不变】

2、 问题:稳压二极管是利用PN结的（ ）实现稳压的。
选项：
A:单向导电性
B:反向截止特性
C:反向击穿特性
D:电容特性
答案: 【反向击穿特性】

3、 问题:P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。
选项：
A:三价
B:四价
C:五价
D:六价
答案: 【三价】

4、 问题:杂质半导体中多子浓度主要取决于( )。
选项：
A:掺入的杂质数量
B:环境温度
C:掺杂工艺
D:晶体结构
答案: 【掺入的杂质数量】

5、 问题:杂质半导体中少子浓度主要取决于( )。
选项：
A:掺入的杂质数量
B:环境温度
C:掺杂工艺
D:晶体结构
答案: 【环境温度】

6、 问题:PN结反向偏置时，其耗尽层会( )。
选项：
A:变宽
B:变窄
C:不变
D:不确定
答案: 【变宽】

7、 问题:当温度升高时，二极管的正向压降( )
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:不确定
答案: 【减小】

8、 问题:当温度升高时，二极管的反向击穿电压( )
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:不确定
答案: 【减小】

9、 问题:当温度升高时，二极管的反向饱和电流( )
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:不确定
答案: 【增大】

10、 问题:变容二极管在电路中主要用作( )
选项：
A:整流
B:稳压
C:发光
D:可变电容
答案: 【可变电容】

11、 问题:二极管两端加上正向电压时( )
选项：
A:一定导通
B:超过死区电压才能导
C: 超过0.7V才导通
D:不导通
答案: 【超过死区电压才能导】

12、 问题:用指针式万用表测同一只二极管的正向电阻，不同欧姆档测得的阻值不同，其原因是( )。
选项：
A:二极管的质量差
B:万用表不同欧姆档有不同的内阻
C: 二极管有非线性的伏安特性
D:万用表接触不良
答案: 【 二极管有非线性的伏安特性】

13、 问题:常见的1N4001型号的二极管，其外壳上带有白圈的一端是二极管的（ ）极
选项：
A:正极(阳极)
B:负极(阴极)
C:基极
D:发射极
答案: 【负极(阴极)】

14、 问题:在常温下，硅二极管的死区电压约为（）V
选项：
A:0.1
B:0.3
C:0.5
D:0.7
答案: 【0.5】

15、 问题:在常温下，锗二极管的死区电压约为（）V
选项：
A:0.1
B:0.3
C:0.5
D:0.7
答案: 【0.1】

16、 问题:在常温下，锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
选项：
A:0.1-0.2
B:0.2-0.3
C:0.5-0.6
D:0.6-0.7
答案: 【0.2-0.3】

17、 问题:在常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
选项：
A:0.1-0.2
B:0.2-0.3
C:0.5-0.6
D:0.6-0.7
答案: 【0.6-0.7】

18、 问题:由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

19、 问题:二极管只要加正向电压，就能导通。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

20、 问题:无论何种二极管，只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

21、 问题:只要稳压二极管两端加反向电压，稳压管就能起稳压作用。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

22、 问题:用万用表测试晶体管时，应该选择欧姆档R×10K档位。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

23、 问题:PN结正向偏置是将 极接电路的高电位点。
答案: 【(以下答案任选其一都对)阳;
正】

24、 问题:PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为 。
答案: 【单向导电性】

25、 问题:当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被
答案: 【击穿损坏】

26、 问题:二极管正偏时的正向压降为0.7V，估算UA值
答案: 【6.2】

27、 问题:二极管正偏时的正向压降为0.7V，估算UB值
答案: 【6.9】