第一章 单元测试

1、 问题:

现代电子器件大多是基于半导体材料制备的?

选项:
A:对
B:错
答案: 【


第二章 单元测试

1、 问题:

p型硅掺杂V族元素,n型硅掺杂III族元素。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

2、 问题:

半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

3、 问题:

以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

4、 问题:

以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型?

选项:
A:单晶体
B:多晶体
C:非晶体 
D:结晶体
答案: 【
结晶体

5、 问题:

从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

6、 问题:

半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

7、 问题:

在半导体中的空穴流动就是电子流动。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

8、 问题:

通常来说,晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

9、 问题:

温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为()?

选项:
A:0
B:1/4
C:1/2
D:1
答案: 【
1/2

10、 问题:

通常对于同种半导体材料,掺杂浓度越高,载子迁移率越低。

选项:
A:对
B:错
答案: 【

第三章 单元测试

1、 问题:

通常情况下,pn结p区和n区的半导体材料不相同。

选项:
A:对
B:错
答案: 【


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