2020 模拟电路(福州大学) 最新满分章节测试答案
- 【作业】第1章 晶体二极管 第一章习题
- 第1章 晶体二极管 第一章测试
- 第1章 晶体二极管 第一章课后作业部分
- 第2章 晶体三极管 第二章作业
- 第2章 晶体三极管 第二章测试
- 【作业】第2章 晶体三极管 第二章课后作业1
- 第3章 场效应管 第三章作业
- 【作业】第3章 场效应管 第三章课后作业
- 第3章 场效应管 前三章单元测试题
- 【作业】第四章 放大器基础 课后4-11
- 【作业】第四章 放大器基础 课后4-18、4-28
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- 第五章 放大器中的负反馈 第五章作业1
- 第五章 放大器中的负反馈 第五章作业2
- 【作业】第五章 放大器中的负反馈 第五章作业3
- 【作业】第六章 集成运算放大器及其应用电路 第六章作业1
- 【作业】第六章 集成运算放大器及其应用电路 第六章作业2
- 第六章 集成运算放大器及其应用电路 第六章测验
- 第八章 直流稳压电源电路 电源测试
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本课程起止时间为:2020-02-17到2020-09-30
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【作业】第1章 晶体二极管 第一章习题
1、 问题: 半导体中有 和 两种载流子,它们除了在电场作用下形成 电流外,还会在浓度差的作用下形成 电流。
评分规则: 【 第1-2空填写自由电子和空穴
第3空为漂移电流
第4空为扩散电流
】
2、 问题:在本征半导体中掺入 价元素的杂质可形成P型半导体材料,掺入 价元素的杂质可形成N型半导体材料。(A)三 (B) 四 (C)五 (D)六
评分规则: 【 A、C
】
3、 问题:当温度降低而其他条件不变时,晶体二极管的反向饱和电流将__ 。(A)增大 (B) 减小 (C)不变 (D)可能增大也可能减小
评分规则: 【 B
】
4、 问题:在如图(a)所示电路中,三只二极管参数相同,V-I 特性示于下图(b)中。若A、B、C三端口电压分别为1V、2V、3V,求出端口D的电压值为_______。
评分规则: 【 1.7V
】
5、 问题:设二极管为理想二极管,试判断下图电路中二极管D是否导通,并求VAO值。
评分规则: 【 D导通
VAO=15V
】
6、 问题:请写出如图所示数字电路的功能,二极管VD(on)=0.7V
评分规则: 【 三输入二极管或门电路
】
第1章 晶体二极管 第一章测试
1、 问题:P型半导体是在本征半导体中掺入( )价元素。
选项:
A:五
B:四
C:二
D:三
答案: 【三】
2、 问题:当温度升高时,二极管导通压降会( ) 。
选项:
A:减小
B:随机态
C:增大
D:不变
答案: 【减小】
3、 问题:PN结电容包括( )。
选项:
A:耦合电容和旁路电容
B:势垒电容和扩散电容
C:势垒电容和耦合电容
D:扩散电容和旁路电容
答案: 【势垒电容和扩散电容】
4、 问题:在____中,空穴浓度大于电子浓度。
选项:
A:本征半导体
B:不存在
C:N型半导体
D: P型半导体
答案: 【 P型半导体】
5、 问题:在____中,空穴浓度等于电子浓度。
选项:
A:P型半导体
B:本征半导体
C:不存在
D:N型半导体
答案: 【本征半导体】
6、 问题: 在____中,空穴浓度小于电子浓度。
选项:
A:不存在
B:本征半导体
C:P型半导体
D:N型半导体
答案: 【N型半导体】
7、 问题:N型半导体是在纯净半导体中掺入____。
选项:
A:三价元素,如硼等
B:带负电的电子
C:带正电的离子
D:五价元素,如磷等
答案: 【五价元素,如磷等】
8、 问题: P型半导体是在纯净半导体中掺入____。
选项:
A:带负电的电子
B:三价元素,如硼等
C:带正电的离子
D:五价元素,如磷等
答案: 【三价元素,如硼等】
9、 问题:在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____。
选项:
A:不变
B:增大
C:无规律变化
D:减小
答案: 【增大】
10、 问题:在保持二极管的正向电流不变的条件下,二极管的正向导通电压随温度升高而____。
选项:
A:不变
B:增大
C:减小
D:无规律变化
答案: 【减小】
11、 问题: 当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流。
选项:
A:小于
B:等于
C:大于
D:以上答案均不正确
答案: 【大于】
12、 问题:当PN结外加正向电压时,耗尽层 。
选项:
A:变窄
B:不变
C:变宽
D:不存在
答案: 【变窄】
13、 问题:当PN结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流。
选项:
A:大于
B:小于
C:等于
D:以上答案均不正确
答案: 【小于】
14、 问题:PN结外加反向电压时,耗尽层 。
选项:
A:不变
B:变宽
C:变窄
D:不存在
答案: 【变宽】
15、 问题:已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得。当R从10kΩ 减小至5kΩ 时,I将____。
选项:
A:为0.5μA 左右
B:远大于2μA
C:变化不大
D:为2μA 左右
答案: 【变化不大】
16、 问题:已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得。保持U和R不变,温度下降10℃,I将____。
选项:
A:为2μA 左右
B:变化不大
C:为0.5μA 左右
D:远大于2μA
答案: 【为0.5μA 左右】
17、 问题: 设某二极管在正向电流ID=10mA时,其正向压降UD=0.6V。在UD保持不变的条件下,当二极管的结温升高10℃,ID将____。
选项:
A:大于10mA
B:等于10mA
C:小于10mA
D:不存在
答案: 【大于10mA】
18、 问题:在如图所示的电路中,当时,测得
,
。当U降至3V时,则I将为____。
选项:
A:小于1mA
B:大于1mA,但小于2mA
C:1mA
D:2mA
答案: 【小于1mA】
19、 问题:在如图所示的电路中,当时,测得
,
。保持U不变,温度下降20℃,则
将为____。
选项:
A:小于0.7V
B:0.7V不变
C:大于0.7V
D:与温度无关
答案: 【大于0.7V】
20、 问题:在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
本文章不含期末不含主观题!!
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