2021 模拟电子技术基础(武汉理工大学)1465387448 最新满分章节测试答案
- 第1章 绪论 绪论单元测试
- 第2章 半导体基础知识及二极管 第2章_半导体基础知识及二极管_单元测验
- 第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测验_JFET及其特性
- 第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测验_ MOSFET及其特性
- 第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_放大电路的重要概念
- 第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_基本共源极放大电路组成
- 第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_共源电路的图解分析法
- 第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_场效应管的小信号模型
- 第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_共源放大电路的小信号模型分析法
- 第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_共漏和共栅放大电路
- 第4章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 4_单元测验_在线测量法
- 第4章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 4_单元测验_BJT及其特性
- 第4章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 4_单元测验_基本共发射极放大电路
- 第4章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 4_单元测验_图解分析法
- 第4章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 4_单元测验_射极偏置放大电路
- 第4章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 4_单元测验_小信号模型分析法
- 第4章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 4_单元测验_共基极放大电路
- 第4章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 4_单元测验_三种组态电路的性能比较+复合管
- 第4章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 4_单元测验_多级放大电路
- 第4章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 4_单元测验_共集电极放大电路
- 第5章 放大电路的频率响应 5_单元测验_放大电路的频率响应基本概念
- 第6章 模拟集成电路 单元测验-第6章
- 第7章 功率放大电路 单元测验_功率放大电路
- 第8章 反馈放大电路 第7章_反馈放大电路_单元测验
- 第9章 信号的运算电路 第九章单元测验_信号的运算电路
- 第10章 信号的处理与信号的产生电路 正弦波振荡电路测试
- 第10章 信号的处理与信号的产生电路 滤波电路的基本概念及分类单元测试
- 第11章 直流稳压电源 单元测验_直流稳压电源单元测验
- 第3章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 3.5 小信号模型分析法
- 第10章 直流稳压电源 直流稳压电源单元测验
- 第3章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 3.4 图解分析法
- 第3章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 3.10&11 多级放大电路
- 第3章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 3.6 射极偏置放大电路
- 第3章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 3.2 在线测量法单元测验
- 第3章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 3.8 共基极放大电路
- 第3章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 3.9 三种组态电路的性能比较+复合管
- 第4章 场效应三极管及其放大电路 4.3 基本共源极放大电路组成单元测验
- 第4章 场效应三极管及其放大电路 4.4 放大电路的重要概念单元测验
- 第4章 场效应三极管及其放大电路 4.6 场效应管的小信号模型单元测验
- 第5章 功率放大电路 单元测验_功率放大电路
- 第6章 模拟集成电路 单元测验-第六章
- 第7章 反馈放大电路 第7章_反馈放大电路_单元测验
- 第9章 信号的运算、处理与信号的产生电路 滤波电路的基本概念及分类单元测试
- 第9章 信号的运算电路 单元测验_信号的运算电路
- 第8章 功率放大电路 单元测验_功率放大电路
- 第9章 信号的运算、处理与信号的产生电路 正弦波振荡电路测试
- 第4章 场效应三极管及其放大电路 4.5 共源电路的图解分析法单元测验
- 第8章 反馈放大电路 第8章_反馈放大电路_单元测验
- 第4章 场效应三极管及其放大电路 4.1 MOSFET及其特性单元测验
- 第4章 场效应三极管及其放大电路 4.2 JFET及其特性
- 第7章 放大电路的频率响应 第七章 放大电路的频率响应单元测验
- 第3章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 3.7 共集电极放大电路
- 第3章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 3.3 基本共发射极放大电路单元测验
- 第3章 双极结型三极管(BJT)及其放大电路 3.1 BJT及其特性单元测验
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本课程起止时间为:2021-08-30到2022-01-15
第1章 绪论 绪论单元测试
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1、 问题:放大电路的互阻放大基本模型中,受控源的类型是( )。
选项:
A:受电压控制电流源,VCCS
B:受电流控制电压源,CCVS
C:受电压控制电压源, VCVS
D:受电流控制电流源,CCCS
答案: 【受电流控制电压源,CCVS】
2、 问题:我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时, 宜选用( )模型对电路进行等效变换后进行分析。
选项:
A:电压放大
B:电流放大
C:互阻放大
D:互导放大
答案: 【互导放大】
3、 问题:以下关于电流放大电路性能的说法中,正确的是( )。
选项:
A:放大电路要有好的电流放大性能,不仅对短路电流增益有要求,还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B:放大电路要有好的电流放大性能,不仅对短路电流增益有要求,还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C:放大电路要有好的电流放大性能,不仅对短路电流增益有要求,还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D:放大电路要有好的电流放大性能,不仅对短路电流增益有要求,还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
答案: 【放大电路要有好的电流放大性能,不仅对短路电流增益有要求,还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。】
4、 问题:以下各项指标参数中,( )是放大电路本身的性能指标。
选项:
A:放大电路的增益
B:放大电路的负载电阻
C:放大电路的通频带宽度
D:放大电路的非线性失真
答案: 【放大电路的增益;
放大电路的通频带宽度;
放大电路的非线性失真】
5、 问题:放大电路的基本模型包括的基本要素有( )。
选项:
A:放大电路的输入与输出电阻
B:放大电路的负载
C:放大电路的输入信号
D:放大电路的增益
答案: 【放大电路的输入与输出电阻;
放大电路的增益】
6、 问题:互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益,就能够将输入电流信号有效转变较为稳定输出的电压信号。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
7、 问题:电压放大电路也可以有电流放大能力。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
8、 问题:放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
9、 问题:互阻放大模型中的增益代表放大电路的( )路输出电压与输入电流的比。(在”开“或“短”或“旁”或“环”中选择合适的填入)
答案: 【开】
10、 问题:放大电路是个二端口网络,其输入端口等效为一个( ),输出端口则等效为带有内阻的受控源。
答案: 【(以下答案任选其一都对)电阻;
输入电阻;
负载电阻】
11、 问题:放大电路的互阻放大基本模型中受控源的类型是( )。
选项:
A:受电压控制电流源
B:受电流控制电压源
C:受电压控制电压源
D:受电流控制电流源
答案: 【受电流控制电压源】
12、 问题:我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时, 宜选用( )模型进行等效分析。
选项:
A:电压放大
B:电流放大
C:互阻放大
D:互导放大
答案: 【互导放大】
13、 问题:以下关于电流放大电路性能正确的说法是( )。
选项:
A:放大电路要有好的电流放大性能,不仅对短路电流增益有要求,还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B:放大电路要有好的电流放大性能,不仅对短路电流增益有要求,还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C:放大电路要有好的电流放大性能,不仅对短路电流增益有要求,还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D:放大电路要有好的电流放大性能,不仅对短路电流增益有要求,还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
答案: 【放大电路要有好的电流放大性能,不仅对短路电流增益有要求,还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。】
14、 问题:以下各项指标参数中,( )是放大电路本身的性能指标。
选项:
A:放大电路的增益
B:放大电路的负载电阻
C:放大电路的频带宽度
D:放大电路的非线性失真
答案: 【放大电路的增益;
放大电路的频带宽度;
放大电路的非线性失真】
15、 问题:放大电路的基本模型包括以下要素:
选项:
A:放大电路的输入与输出电阻
B:放大电路的负载
C:放大电路的输入信号
D:放大电路的增益
答案: 【放大电路的输入与输出电阻;
放大电路的增益】
16、 问题:互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益,就能够将输入电流信号有效转变较为电压信号稳定输出。
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析:【还需要考虑输入与输出电阻。匹配才能发挥出增益的真实水平】
17、 问题:互阻放大模型中的增益代表放大电路的( )路输出电压与输入电流的比。
答案: 【(以下答案任选其一都对)开;
断】
18、 问题:放大电路是个二端口网络,其输入端口等效为一个( ),输出端口则等效为带有信号源内阻的信号源。
答案: 【电阻】
第2章 半导体基础知识及二极管 第2章_半导体基础知识及二极管_单元测验
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1、 问题:为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力,可以( )。
选项:
A:提高环境温度
B:掺入特定杂质元素
C:加强光照
D:增加半导体材料横截面积
E:加强外电场
F:以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素
答案: 【掺入特定杂质元素;
以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素】
2、 问题:在平衡的PN结两端外加反偏电压,会( )。
选项:
A:使空间电荷区变厚
B:抑制漂移,促进扩散
C:使反向饱和电流增大
D:使反向饱和电流减小
E:使势垒变高
F:只要不被击穿,反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变
G:抑制扩散,促进漂移
答案: 【使空间电荷区变厚;
使势垒变高;
只要不被击穿,反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变;
抑制扩散,促进漂移】
3、 问题:二极管两端外加正偏电压时,其正向电流是由( )。
选项:
A:多数载流子扩散形成
B:多数载流子漂移形成
C:少数载流子漂移形成
D:少数载流子扩散形成
答案: 【多数载流子扩散形成】
4、 问题:二极管整流电路利用的是二极管的( )特性。
选项:
A:反向击穿特性
B:电容效应
C:单向导电性
D:本征激发特性
E:掺杂特性
F:正向导通、反向截止的特性
G:正向导通、反向击穿的特性
H:开关特性
答案: 【单向导电性;
正向导通、反向截止的特性;
开关特性】
5、 问题:以下说法错误的是( )。
选项:
A:电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种,只要反向电流控制在一定范围内,是可以逆转的。
B:稳压二极管在正常工作时外加反偏电压,所以无需串联限流电阻。
C:齐纳击穿的本质是场致电离,对电场强度的要求很高
D:雪崩击穿的本质是碰撞电离,要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
答案: 【稳压二极管在正常工作时外加反偏电压,所以无需串联限流电阻。】
本文章不含期末不含主观题!!
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