2020 模拟电子技术基础(安康学院) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-02-17到2020-07-14
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第2章 半导体基础知识及二极管 第2章_半导体基础知识及二极管_单元测验

1、 问题:为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（ ）。
选项：
A:提高环境温度
B:掺入特定杂质元素
C:加强光照
D:增加半导体材料横截面积
E:加强外电场
F:以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素
答案: 【掺入特定杂质元素;
以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素】

2、 问题:在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（ ）。
选项：
A:使空间电荷区变厚
B:抑制漂移，促进扩散
C:使反向饱和电流增大
D:使反向饱和电流减小
E:使势垒变高
F:只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变
G:抑制扩散，促进漂移
答案: 【使空间电荷区变厚;
使势垒变高;
只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变;
抑制扩散，促进漂移】

3、 问题:二极管两端外加正偏电压时，其正向电流是由（ ）。
选项：
A:多数载流子扩散形成
B:多数载流子漂移形成
C:少数载流子漂移形成
D:少数载流子扩散形成
答案: 【多数载流子扩散形成】

4、 问题:二极管整流电路利用的是二极管的（ ）特性。
选项：
A:反向击穿特性
B:电容效应
C:单向导电性
D:本征激发特性
E:掺杂特性
F:正向导通、反向截止的特性
G:正向导通、反向击穿的特性
H:开关特性
答案: 【单向导电性;
正向导通、反向截止的特性;
开关特性】

5、 问题:二极管的反向饱和电流在20摄氏度时是5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（ ）微安。
选项：
A:20
B:30
C:40
D:50
答案: 【40】

6、 问题:本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是（ ）
选项：
A:小于
B:等于
C:大于
D:无关
答案: 【等于】

7、 问题:N型半导体的多数载流子是（ ），P型半导体的多数载流子（ ）
选项：
A:空穴，空穴
B:空穴，电子
C:电子，空穴
D:电子，电子
答案: 【电子，空穴】

8、 问题:N型半导体的多数载流子是（ ），少数载流子（ ）
选项：
A:空穴，空穴
B:空穴，电子
C:电子，空穴
D:电子，电子
答案: 【电子，空穴】

9、 问题:P型半导体的多数载流子是（ ），少数载流子（ ）
选项：
A:空穴，空穴
B:空穴，电子
C:电子，空穴
D:电子，电子
答案: 【空穴，电子】

10、 问题:向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（ ）。
选项：
A:内部多数载流子类型为自由电子
B:外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反
C:内部多数载流子类型为空穴
D:外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向一致
E:在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子
F:在产生多子空穴的同时，生成带负电的受主离子
答案: 【内部多数载流子类型为自由电子;
外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反;
在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子】

11、 问题:PN结的特性主要有（ ）。
选项：
A:单向导电性
B:反向击穿特性
C:电容特性
D:低电压稳压特性
E:本征激发特性
F:掺杂特性
答案: 【单向导电性;
反向击穿特性;
电容特性;
低电压稳压特性】

12、 问题:以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。
选项：
A:半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B:半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C:常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D:常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
E:常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
F:常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
答案: 【半导体二极管正偏时，势垒区变窄;
半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致;
常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V;
常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V】

13、 问题:以下（ ）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。
选项：
A:正向管压降
B:最大反向工作电流
C:额定功耗或最大耗散功率
D:标称稳定电压
E:最小反向工作电流
F:反向击穿时的动态电阻
G:正向开启电压
答案: 【最大反向工作电流;
额定功耗或最大耗散功率;
标称稳定电压;
最小反向工作电流;
反向击穿时的动态电阻】

14、 问题:平衡的PN结又称（ ）。
选项：
A:阻挡层
B:耗尽层
C:空间电荷区
D:二极管
E:势垒
F:导电沟道
答案: 【阻挡层;
耗尽层;
空间电荷区;
势垒】

15、 问题:本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

16、 问题:根据普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正偏接法接到二极管两端，就可以让管子正常工作。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【因二极管导通后的正向特性陡峭，所以需要串接合适大小的电阻来限流，以免因电流过大而发生热击穿。】

17、 问题:二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
分析：【除了开关电路的分析，当二极管外电路偏置远远大于导通电压时，也可以采用理想模型。】

18、 问题:稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

19、 问题:外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的束缚电子的逆电场漂移运动。
选项：
A:正确

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