2020 材料科学基础(乐山师范学院) 最新满分章节测试答案

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本课程起止时间为:2020-02-24到2020-06-30
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第一章 固体结构

1、 问题:立方晶体中含有[1-21]晶向的面为 。
选项：
A:（111）
B:(121)
C:（110）
D:（1-13）
答案: 【（111）】

2、 问题:碳固溶如铁中（碳重量分数0.02%）容易形成 。
选项：
A:置换固溶体
B:间隙固溶体
C:间隙化合物
D:间隙相
答案: 【间隙固溶体】

3、 问题:简单立方晶体中原子的配位数为 个。
选项：
A:12
B:8
C:6
D:4
答案: 【6】

4、 问题:晶向族[111]包含 组等效晶向。
选项：
A:4
B:6
C:8
D:12
答案: 【4】

5、 问题:钢球模型的构建的密排六方结构的致密性比面心立方 。
选项：
A:大
B:小
C:不可比
D:相等
答案: 【相等】

6、 问题:立方晶体中属于[111]晶向轴的共晶带有 。
选项：
A:(110)
B:(101)
C:(10-1)
D:(111)
答案: 【(10-1)】

7、 问题:影响置换固溶体固溶度(溶解度)的主要因素是： 。
选项：
A:原子尺寸
B:晶体结构
C:电负性
D:以上都有
答案: 【以上都有】

8、 问题:在七大晶系中， 晶系包含四种Bravais点阵。
选项：
A:三方
B:四方
C:六方
D:正交
答案: 【正交】

9、 问题:化学键中既无方向性也无饱和性的为： 。
选项：
A:共价键
B:金属键
C:离子键
D:以上都不是
答案: 【金属键】

10、 问题:立方晶体晶面间距最小的晶面是：
选项：
A:（001）
B:(101）
C:（111）
D:（121）
答案: 【（121）】

11、 问题:在Bravais点阵中，立方晶系和四方晶系都包含了简单结构、体心结构及面心结构。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

12、 问题:密排六方与面心立方都属于密排结构，前者晶胞内包含6个原子，后者4个，因此密排六方结构致密度大于面心立方。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

13、 问题:离子晶体堆垛结构符合Pauling半径比规则，按照离子半径比，稳定的离子配位数可以是2、3、4、6、8.
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

14、 问题:NaCl和CsCl具备相同的点阵结构。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】

15、 问题:置换固溶体的溶解度在多数情况下比间隙固溶体溶解度大。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】

16、 问题:晶体结构可以认为是由有限种的点阵和无限种的 构成。
答案: 【结构基元】

17、 问题:金属面心立方晶胞中4面体间隙个数有 个。
答案: 【8】

18、 问题:描述晶体的空间点阵数有 个。
答案: 【14】

19、 问题:当金属A与非金属B的原子半径比小于0.59时，形成具有简单晶体结构的中间相，称为____。
答案: 【间隙相】

20、 问题:当正负离子半径比为0.414-0.732时，形成多面体的形状为–。
答案: 【八面体】

【作业】第二章 晶体缺陷 第二章 晶体缺陷

1、 问题:1. 假定有一个b在[0-10]晶面的刃型位错沿着(100)晶面滑动,(1)如果有另一个柏氏矢量在[010]方向,沿着(001)晶面上运动的刃型位错,通过上述位错时该位错将发生扭折还是割阶?(2)如果有一个b方向为[100],并在(001)晶面上滑动的螺型位错通过上述位错,试问它将发生扭折还是割阶?
评分规则: 【 (1)扭折;(2)割阶。
】

2、 问题: 在晶体的同一滑移面上有两个半径分别为r1和r2的位错环,其中r1＞r2 ,它们的柏氏矢量相同,试问在切应力作用下何者更容易运动?为什么?
评分规则: 【 半径为r1的位错环
】

3、 问题:当刃型位错周围的晶体中含有(1)超平衡空位、(2)超平衡的间隙原子、(3)低于平衡浓度的空位、(4)低于平衡浓度的间隙原子等四种情况时,该位错将怎样攀移?
评分规则: 【 (1)正攀移;(2)负攀移;(3)负攀移;(4)正攀移。
】

4、 问题: 在下图所示的面心立方晶体的(111)滑移面上有两条弯折的位错线OS和O’S’,其中O’S’位错的台阶垂直于(111),它们的柏氏矢量如图中箭头所示。(1)判断位错线上各段位错的类型。(2)有一切应力施加于滑移面,且与柏氏矢量平行时两条位错线的滑移特征有何差异?
评分规则: 【 (1)在两根位错线上,除1~2、3~4段为刃位错外,其余各段均为螺位错;
(2)OS上的各位错段都可在该滑移面内滑移,O’S’上的1~2、3~4段位错不能运动,而其余各段都可在该滑移面内滑移。
】

5、 问题:若面心立方晶体中有b=a/2[-101]的全位错和b=a/6[12-1]的不全位错,此两位错相遇发生位错反应,试问:(1)此反应能否进行?为什么?(2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的性质。
评分规则: 【 (1)能,因能量降低;(2)b=a/3[-111],Frank分位错。
】

6、 问题:有两个被钉扎住的刃型位错A-B和C-D,它们的长度x相等,且具有相同的b,而b的大小和方向相同(见下图)。每个位错都可看做F-R位错源。试分析在其增殖过程中二者间的交互作用。若能形成一个大的位错源,使其开动的Τc多大?若两位错b相反,情况又如何?
评分规则: 【 两位错在外力作用下将向上弯曲并不断扩大,当他们扩大相遇时,将于相互连接处断开,放出一个大的位错环。新位错源的长度为5x,将之代入,F-R源开动所需的临界切应力Τc=Gb/L=Gb/5x
若两个位错A-B和C-D的b相反时,在它们扩大靠近时将相互产生斥力,从而使位错环的扩展阻力增大,并使位错环的形状发生变化。随着位错环的不断扩展,斥力愈来愈大,最后将完全抑制彼此的扩展运动而相互钉扎住。
】

第二章 晶体缺陷

1、 问题:面心立方晶格的晶体在受力时的滑移方向为
选项：
A:＜111＞
B:＜110＞
C:＜100＞
D:＜112＞
答案: 【＜110＞ 】

2、 问题:晶体中的位错属于
选项：
A:点缺陷
B:面缺陷
C:体缺陷
D:线缺陷
答案: 【线缺陷】

3、 问题:肖克莱位错具有螺型、刃型和混合型三种，它们能够
选项：
A:攀移
B:交滑移
C:沿滑移面滑移
D:垂直滑移面滑移
答案: 【沿滑移面滑移】

4、 问题:晶体中点缺陷的存在，使电阻
选项：
A:增大