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第十一周 4.材料的性能 (4) 第十一周小测

1、 问题:电容介质材料应具有 的介电常数和 的介质损耗
选项:
A:大、大
B:大、小
C:小、大
D:
答案: 【大、小

2、 问题:电导率 σ=nqμ,其中n是 ,q是 ,μ是 。
选项:
A:载流子的数量,电场强度, 载流子的迁移率
B:载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移速度
C:载流子的数量,载流子的电荷量,载流子迁移速率
D:载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移率
答案: 【载流子的数量,载流子的电荷量,载流子迁移速率

3、 问题:硅的载流子只有电子
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

4、 问题:离子固体的载流子只是正、负离子
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

5、 问题:迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

6、 问题:单质金属的载流子是自由电子,且自由电子全部参予导电
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

7、 问题:n型半导体的载流子量空穴
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

8、 问题:只有费米能级以上的自由电子,才具有导电性
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

9、 问题:单质金属的电导率与温度成反比,随着温度的升高而下降
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

10、 问题:随着温度的升高,半导体材料的电导率增大
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

11、 问题:一般情况下,金属材料的电导率大于非金属材料的电导率
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

12、 问题:金属合金固溶体中存在大量的缺陷,其电导率高于单质金属
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

13、 问题:金属的导电性随着金属中的杂质的增加而下降
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

14、 问题:半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

15、 问题:绝缘材料的能带结构中禁带宽度一般大于5eV
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

16、 问题:离子固体的电导性等于电子导电和离子导电的贡献之和
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

17、 问题:n型半导体指在Si、Ge等四价元素中掺入少量五价元素P、Sb、Bi、As
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

18、 问题:半导体的电导率与温度呈指数关系
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

19、 问题:硅材料和金刚石都是由共价键组成的架状结构,因此,它们具有相同导电率
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

20、 问题:导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂,指用碱金属进行掺杂
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

21、 问题:导电聚合物的分子链为共轭结构
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

22、 问题:导电聚合物的能带间隙(Eg)随聚合物长度的增加而增加
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

23、 问题:电介质的相对介电常数等于介质的电容率除以真空的电容率
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

24、 问题:介电损耗指的是电介质在交变电场作用下,电能转变成热能而损耗了
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

25、 问题:介电性质是描述电介质材料在交变电场中的性质
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

26、 问题:发生取向极化的分子结构中必定具有永久电偶极矩
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

27、 问题:C-F键为极性共价键,固而聚四氟乙烯易产生取向极化,具有高的介电常数
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

28、 问题:一般情况下,极性聚合物的介电常数随温度增加而增大,然后趋于平缓
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【正确

29、 问题:电介质材料在低频下的介电常数低于在高频下的介电常数
选项:
A:正确
B:错误
答案: 【错误

30、 问题:高分子材料的极性越大、介质损耗值越大
选项:
A:正确
B:错误

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