2019 半导体物理与器件(西安邮电大学) 最新满分章节测试答案

文章目录[隐藏]

第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级（1周）单元测验（一）
第3讲：半导体中载流子的统计分布（1.5周）单元测验(二)

本答案对应课程为:点我自动跳转查看
本课程起止时间为:2019-03-17到2019-07-31
本篇答案更新状态:已完结

第2讲：半导体中的杂质和缺陷能级（1周）单元测验（一）

1、问题:一种有效而直观地测量有效质量的实验方法是？
选项：
A:回旋共振实验
B:霍尔效应实验
C:磁阻效应实验
D:热电效应实验
答案: 【回旋共振实验】

2、问题:有效质量的意义在于？
选项：
A:概括了半导体内部势场对电子的作用。
B:概括了共价键对电子的作用。
C:概括了导带对电子的作用。
D:概括了杂质对电子的作用。
答案: 【概括了半导体内部势场对电子的作用。】

3、问题:关于导带中的电子，以下描述正确的是？
选项：
A:准自由运动的电子。
B:受共价键束缚的电子。
C:受杂质束缚的电子。
D:受价带束缚的电子。
答案: 【准自由运动的电子。】

4、问题:在能带底部附近，电子的有效质量为？
选项：
A:正。
B:负。
C:不确定。
D:可正可负。
答案: 【正。】

5、问题:Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A:k=0处；k=0处
B:[111]及其等价方向；k=0处
C:[100]及其等价方向；[111]及其等价方向
D:[100]及其等价方向；k=0处
E:[110]及其等价方向；k=0处
答案: 【[100]及其等价方向；k=0处】

6、问题:以下材料中，属于直接禁带半导体的是？
选项：
A:GaAs
B:Si
C:Ge
D:GaP
答案: 【GaAs】

7、问题:在完全相同的条件下，以下哪种情况最容易发生？
选项：
A:浅能级杂质的电离
B:深能级杂质的电离
C:本征激发
D:本征吸收
答案: 【浅能级杂质的电离】

8、问题:什么是本征半导体？
选项：
A:没有杂质的纯净半导体。
B:没有缺陷的结构完美的半导体。
C:没有杂质，没有缺陷的半导体。
D:施主杂质和受主杂质数量相等的半导体。
答案: 【没有杂质，没有缺陷的半导体。】

9、问题:本征半导体的特征是？
选项：
A:导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。
B:导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。
C:导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。
D:施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度。
E:电子浓度和空穴浓度均为0。
答案: 【导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。】

10、问题:Ge的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A:[111]及其等价方向；k=0处
B:[110]及其等价方向；k=0处
C:[100]及其等价方向；k=0处
D:k空间原点；k空间原点
答案: 【[111]及其等价方向；k=0处】

11、问题:GaAs的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
选项：
A:k=0处；k=0处
B:[111]方向；k=0处
C:k=0处；[111]方向
D:[100]方向；k=0处
E:k=0处；[100]方向
答案: 【k=0处；k=0处】

12、问题:关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是
选项：
A:半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。
B:半导体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
C:半导体是：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
D:半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。
答案: 【半导体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带；绝缘体是：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。】

13、问题:关于价带中的空穴，以下描述正确的是？
选项：
A:空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。
B:空穴常出现在价带顶。
C:空穴的有效质量为正。
D:空穴常出现在导带底部。
E:空穴的有效质量为负。
答案: 【空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动。;
空穴常出现在价带顶。;
空穴的有效质量为正。】

14、问题:以下材料中，属于间接禁带半导体的是？
选项：
A:Si
B:Ge
C:GaAs